DMN2028UFDF-7

在追求极致能效的电子设计领域，您是否还在为开关损耗和散热问题而烦恼？现在，答案来了。我们隆重推出DMN2028UFDF-7，这颗来自Diodes Incorporated的N沟道MOSFET，以其卓越的性能重新定义了20V功率开关的标准。它不仅仅是一个元件，更是您提升产品竞争力、实现设计突破的关键引擎。

想象一下，在紧凑的便携式设备中，无论是智能手机的快充电路、移动电源的智能管理，还是无人机的高效电调，DIODES代理商为您带来的DMN2028UFDF-7都能大显身手。它高达7.9A的连续漏极电流和低至25毫欧的导通电阻，意味着更低的传导损耗和更少的热量产生。这直接转化为更长的电池续航、更快的充电速度以及更稳定的系统运行，让您的终端产品在激烈的市场竞争中脱颖而出，赢得用户的青睐。

选择DMN2028UFDF-7，就是选择了一份可靠与高效。其1.5V的低驱动电压门槛，让它在电池供电场景下也能被轻松驱动，显著简化了您的驱动电路设计。同时，极低的栅极电荷和输入电容确保了超快的开关速度，大幅降低了开关过程中的能量损耗。这一切都封装在微小的U-DFN2020-6封装内，为您的PCB布局节省了宝贵的空间。从-55°C到150°C的宽广工作温度范围，更是赋予了它应对各种严苛环境的强大韧性。当您需要一颗在性能、尺寸和可靠性上都无可挑剔的功率开关时，DMN2028UFDF-7无疑是您最明智的抉择，它将为您的创新想法提供坚实的动力基础。

• 型号:DMN2028UFDF-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:U-DFN2020-6（F 类）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 20V 7.9A 6UDFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:20 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):7.9A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.5V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:25 毫欧 @ 4A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:18 nC @ 8 V
• Vgs（最大值）:±8V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:907 pF @ 10 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:660mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:U-DFN2020-6（F 类）
• 封装/外壳:6-UDFN 焊盘
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还在寻找那颗能让您的便携设备既强劲又冷静的“心脏”吗？DMN2028UFDF-7正是您期待的答案。这颗N沟道MOSFET拥有20V的耐压和高达7.9A的电流处理能力，核心优势在于其惊人的低导通电阻在4.5V驱动下仅25毫欧。这意味着它能以极高的效率导通大电流，将宝贵的电池能量更多地用于驱动负载，而非转化为无谓的热量，让您的产品续航更持久，运行更凉爽。

更令人惊喜的是，它仅需1.5V的低电压即可高效开启，完美适配单节锂电池等低压系统，让您的电源设计变得前所未有的轻松。配合其超低的栅极电荷和紧凑的U-DFN2020-6封装，它不仅能实现高速开关以提升整体能效，还能为您节省板上空间，助力打造更小巧、更精密的终端产品。选择DMN2028UFDF-7，就是为您的设计注入高效与可靠的核心动力。