DMC3028LSD-13

在追求极致能效与紧凑设计的电子世界，您是否正在寻找一颗能够同时驾驭N沟道与P沟道，在狭小空间内释放强劲动力的解决方案？答案就在DMC3028LSD-13。这颗来自Diodes Incorporated的卓越MOSFET阵列芯片，以其30V的耐压能力和高达6.8A的连续漏极电流，为您的高效电源管理和电机驱动应用注入澎湃核心动力。它不仅仅是一个组件，更是您产品实现性能飞跃、成本优化与可靠性的关键引擎。

想象一下，在您的下一款便携式设备、智能家居控制器或工业自动化模块中，DMC3028LSD-13正发挥着核心作用。其逻辑电平门控特性，让它可以轻松被微控制器直接驱动，极大地简化了您的电路设计。无论是用于同步整流提升电源转换效率，还是在H桥电路中精准控制电机的正反转与调速，这颗芯片都能游刃有余。其低至28毫欧的导通电阻，意味着更低的导通损耗和发热，让您的设备运行更凉爽、续航更持久。在-55°C至150°C的严苛工作温度范围内，它依然保持稳定，确保从消费电子到工业领域的各种应用都能应对自如。

选择DMC3028LSD-13，就是选择了一种经过市场验证的可靠性与卓越性能的平衡。它将双MOSFET集成于紧凑的8-SOIC封装中，为您节省了宝贵的PCB空间，让产品设计更加小巧精致。更低的栅极电荷和输入电容，带来了更快的开关速度，显著提升系统整体响应效率。当您需要确保供应链的稳定与产品品质的纯粹时，通过正规的DIODES授权代理进行采购，是获得原厂正品与全面技术支持的不二法门。让DMC3028LSD-13成为您创新蓝图中的基石，共同打造更高效、更可靠、更具竞争力的下一代电子产品。

• 型号:DMC3028LSD-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:8-SO
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET N/P-CH 30V 6.6A/6.8A 8SO
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:N 和 P 沟道
• FET 功能:逻辑电平门
• 漏源电压（Vdss）:30V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):6.6A，6.8A
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:28 毫欧 @ 6A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:10.5nC @ 10V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:472pF @ 15V
• 功率 - 最大值:1.8W
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
• 供应商器件封装:8-SO
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还在为电路板空间紧张和双路驱动设计繁琐而烦恼吗？DMC3028LSD-13为您提供一站式高效解决方案！这颗集成了N沟道与P沟道MOSFET的阵列芯片，拥有30V耐压和超过6.5A的电流处理能力，让您轻松实现同步整流、电机H桥驱动等关键功能。

其逻辑电平门控特性可直接对接MCU，极大简化您的驱动电路设计。同时，优异的低导通电阻（仅28mΩ）和低栅极电荷，能显著降低开关损耗与发热，提升系统整体能效和可靠性。采用紧凑的8-SOIC封装，是您追求高性能、高密度设计的理想选择。