DMN2027LK3-13

在追求极致能效的今天，您的电源管理方案是否还在为开关损耗和散热问题而妥协？想象一下，一颗能在紧凑空间内，以极低的导通电阻承载超过11安培电流的MOSFET，将如何彻底改变您的设计格局。这正是DMN2027LK3-13带来的核心价值它不仅仅是一个电子元件，更是您提升产品竞争力、实现高效可靠运行的关键引擎。

这颗来自Diodes Incorporated的N沟道MOSFET，拥有20V的漏源电压和11.6A的连续漏极电流能力，但其真正的魅力在于那低至21毫欧的导通电阻。这意味着在开关电源、电机驱动或负载开关等高频应用场景中，它能将导通损耗降至极低，让宝贵的电能更多地转化为有效输出，而非令人头疼的热量。其2.5V的低驱动电压门槛，让它可以轻松与各类现代微控制器和逻辑电路协同工作，简化您的驱动设计。无论是忙碌的DC-DC转换器、精准的电池保护电路，还是需要快速响应的便携设备功率路径管理，它都能以稳定可靠的性能，确保系统心脏的强劲搏动。

选择DMN2027LK3-13，就是选择了一份经过验证的效率和可靠性。TO-252-3（DPAK）的经典封装，在提供出色散热能力的同时，兼顾了PCB空间的优化。宽广的-55°C至150°C工作结温范围，赋予了它应对严苛环境挑战的底气。虽然该型号已处于停产状态，但通过正规的DIODES授权代理渠道，您依然可以获取可靠的库存或找到完美的替代方案，确保项目供应链的稳定与安全。让这颗凝聚了高效能技术的MOSFET，成为您下一款明星产品中沉默却强大的功臣，助力您以更低的系统复杂度和更高的能效，赢得市场的最终认可。

• 型号:DMN2027LK3-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TO-252-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 20V 11.6A TO252-3
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:20 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):11.6A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:21 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:9.1 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±12V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:857 pF @ 10 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.14W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-252-3
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• 想获取DMN2027LK3-13的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

还在寻找那颗能兼顾高效与可靠的电源开关核心吗？DMN2027LK3-13正是为您的高效设计而生。这颗N沟道MOSFET以其低至21毫欧的导通电阻和11.6A的持续电流能力，能显著降低您在DC-DC转换、电机控制或负载开关应用中的功率损耗，让您的系统运行更凉爽、更持久。

它具备2.5V的低阈值驱动电压，让您能轻松搭配各类现代低压控制器，简化电路设计。采用经典的TO-252-3封装，在节省空间的同时提供了优秀的散热性能。选择它，就是为您的产品注入一颗强劲、高效且可靠的心脏，轻松应对各种严苛的功率管理挑战。