DMT10H009SPS-13

在追求极致能效的电力电子设计中，您是否曾为寻找一款既能承受高压大电流，又能保持低损耗和紧凑尺寸的功率开关而烦恼？今天，我们为您带来一个卓越的解决方案DMT10H009SPS-13。这款来自Diodes Incorporated的N沟道MOSFET，以其100V的漏源电压和高达80A（Tc）的连续漏极电流能力，重新定义了中高功率应用的性能标杆。它不仅仅是一个组件，更是您提升产品竞争力、实现设计突破的关键引擎。

想象一下，在您的服务器电源、工业电机驱动或高密度DC-DC转换器中，DMT10H009SPS-13正发挥着核心作用。其惊人的低导通电阻（仅8.5毫欧@10V）意味着更少的导通损耗，直接将电能更高效地传递给负载，从而显著降低系统温升，提升整体可靠性。无论是应对数据中心日益严苛的能效要求，还是满足新能源车载充电器对空间与效率的双重挑战，这颗芯片都能游刃有余。其PowerDI5060-8封装专为高功率密度而优化，表面贴装设计让您的PCB布局更加灵活，轻松实现更小、更轻、更强大的终端产品。

选择DMT10H009SPS-13，就是选择了一份值得信赖的性能保障。它拥有宽广的工作温度范围（-55°C至150°C），确保在极端环境下依然稳定运行。较低的栅极电荷（30nC）和输入电容，使得开关速度更快，驱动更简易，进一步优化了开关损耗。这意味着您的系统不仅能“跑得快”，还能“跑得省”。当您需要可靠的技术支持和稳定的供货渠道时，我们的DIODES芯片代理团队始终是您坚实的后盾。让我们携手，用DMT10H009SPS-13的强大内核，为您的下一个创新项目注入澎湃动力与卓越能效，共同开启高效、可靠的电能转换新篇章。

• 型号:DMT10H009SPS-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:PowerDI5060-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V PWRDI5060
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):14A（Ta），80A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:8.5 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:30 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2085 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.3W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerDI5060-8
• 封装/外壳:8-PowerTDFN
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您正在寻找一颗能扛起高压大电流重任，同时保持冷静与高效的功率开关吗？DMT10H009SPS-13正是为此而生！这颗N沟道MOSFET拥有100V的耐压和高达80A（Tc）的电流处理能力，核心优势在于其极低的导通电阻（仅8.5毫欧），能大幅减少导通损耗，让您的电源或电机驱动方案运行得更凉爽、更节能。

它采用先进的PowerDI5060-8表面贴装封装，不仅节省宝贵的电路板空间，其优化的热性能更能让功率稳定释放。搭配较低的栅极电荷，让开关控制变得轻松又迅速。选择它，就是为您的工业电源、汽车电子或计算设备选择了一颗强劲、可靠且高效的心脏，轻松应对高功率密度设计的挑战。