DMN2024UVT-7

想象一下，当您的便携设备需要同时驱动多个负载，而电路板空间却寸土寸金时，您是否在为寻找一颗既能高效集成又性能可靠的功率开关而烦恼？现在，答案就在眼前。我们隆重推出DMN2024UVT-7，这颗来自Diodes Incorporated的双N沟道MOSFET阵列芯片，正是为突破空间与效率的极限而生。它将两个高性能的MOSFET集成在微小的TSOT-26封装内，不仅为您节省了超过50%的宝贵PCB面积，更以高达7A的连续漏极电流和仅24毫欧的超低导通电阻，确保能量以近乎无损的方式高效传输，让您的设计轻装上阵，动力却丝毫不减。

无论是智能手机中复杂的电源管理路径、平板电脑里背光驱动的精准控制，还是各类便携式消费电子产品的负载开关应用，DMN2024UVT-7都能游刃有余。其20V的漏源电压和宽达-55°C至150°C的工作结温范围，赋予了它应对各种严苛环境的非凡韧性。在您构思下一代超薄型设备或高密度模块时，这颗芯片就是实现简洁、可靠电源架构的秘密武器。选择它，意味着您选择了一种更智能的集成方式，让电路布局从此告别臃肿，迈向精炼与高效的新境界。

为何众多领先厂商在关键设计中信赖DMN2024UVT-7？因为它不仅仅是一个元件，更是一个价值倍增器。极低的栅极电荷和输入电容意味着更快的开关速度和更低的驱动损耗，直接提升了系统的整体能效与响应速度。其“共漏”配置为设计提供了额外的灵活性，简化了电路。当您追求极致的功率密度与可靠性时，这颗芯片就是您最坚实的伙伴。要获取这颗性能尖兵并享受专业的技术支持，请联系我们授权的DIODES代理，让我们携手，将您的前沿创意转化为震撼市场的卓越产品。

• 型号:DMN2024UVT-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TSOT-23-6
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2N-CH 20V 7A TSOT23-6
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 N 沟道（双）共漏
• FET 功能:-
• 漏源电压（Vdss）:20V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):7A（Ta）
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:24 毫欧 @ 6.5A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:900mV @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:7.1nC @ 4.5V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:647pF @ 10V
• 功率 - 最大值:1W
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
• 供应商器件封装:TSOT-23-6
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还在为空间有限的电路板寻找强大的功率开关解决方案吗？DMN2024UVT-7双N沟道MOSFET阵列就是您的理想答案。它能在微小的TSOT-26封装内，为您提供高达7A的驱动能力和仅24毫欧的超低导通电阻，让您轻松实现高效率的电源路径管理和负载切换，显著提升终端设备的能效与可靠性。

这颗芯片专为简化您的设计而生。其优异的开关特性（低栅极电荷与输入电容）确保快速响应，而宽泛的工作温度范围（-55°C ~ 150°C）则让它能适应各种挑战性环境。无论是便携设备、消费电子还是模块化设计，选择DMN2024UVT-7，就是选择了一种更紧凑、更高效、更可靠的功率管理方式，助您轻松打造更具竞争力的产品。