BSS84TA

在追求极致能效的电子设计领域，您是否还在为寻找一款既能简化电路、又能稳定控制的小功率开关解决方案而烦恼？现在，答案已经揭晓。让我们向您隆重介绍BSS84TA，这款来自Diodes Incorporated的P沟道MOSFET，正是为高效、紧凑的应用而生的精巧之选。它不仅仅是一个晶体管，更是您提升产品可靠性、优化空间布局的得力助手。

想象一下，在您的便携式设备、智能传感器模块或低功耗电源管理电路中，BSS84TA能够轻松扮演负载开关或信号切换的关键角色。其50V的漏源电压和130mA的连续漏极电流，为各种低压场景提供了充裕的安全余量。得益于仅5V的低驱动电压和出色的导通特性，它能以极低的功耗实现精准的电路通断控制，让您的设备续航更持久，运行更安静。无论是电池供电的物联网终端，还是需要精密电源轨管理的消费电子，它都能无缝融入，成为电路设计中那个可靠而沉默的守护者。

选择BSS84TA，就是选择了一份经过市场验证的卓越与稳定。其经典的SOT-23-3封装，是业界公认的高性价比与高空间利用率的典范，极大简化了您的PCB布局与生产流程。宽广的-55°C至150°C工作结温范围，确保了它在严苛环境下依然性能如一。当您需要可靠的元器件供应与技术支持时，专业的DIODES代理商将是您坚实的后盾。这款器件以其出色的综合价值，帮助您加速产品上市，在激烈的市场竞争中，用更稳定、更高效的电路设计赢得先机。

• 型号:BSS84TA
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-23-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 50V 130MA SOT23-3
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:50 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):130mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:10 欧姆 @ 100mA，5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2V @ 1mA
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:40 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:360mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-23-3
• 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
• 想获取BSS84TA的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

您正在设计需要精巧电源切换或信号控制的电路吗？BSS84TA正是为您而来。这颗P沟道MOSFET能轻松担当起负载开关或电平转换的重任，凭借仅5V的低驱动电压和稳定的性能，让您高效管理电路的通断，显著简化设计并提升系统可靠性。

它采用紧凑的SOT-23-3封装，能帮您最大化节省宝贵的PCB空间。其50V的耐压和130mA的电流能力，足以应对广泛的低压应用场景。无论是延长电池寿命，还是确保信号完整性，BSS84TA都能让您的设计工作变得更加轻松、高效。