DMN2016UFX-7

在追求极致能效的今天，您的电源管理方案是否还在为空间、散热和效率的平衡而苦恼？想象一下，一颗集高电流承载与超低导通损耗于一身的双通道MOSFET，将如何彻底改变您的设计格局。现在，答案就在DMN2016UFX-7。这款来自Diodes Incorporated的卓越产品，以其24V的耐压和高达9.9A的连续漏极电流能力，为您的高密度、高性能应用注入强劲动力。其核心魅力在于，在6.5A电流和4.5V栅极电压下，导通电阻低至惊人的15毫欧，这意味着更少的能量以热量的形式被浪费，直接转化为更高的系统效率和更长的运行时间。

无论是需要精密同步整流的便携式快充设备，还是对空间极其苛刻的智能手机主板上的负载开关，或是无人机电调、智能穿戴设备中要求高效率的DC-DC转换，DMN2016UFX-7都能游刃有余。它那仅1.5V的最大栅极阈值电压，使其能够轻松被现代低电压微处理器直接驱动，简化了驱动电路设计。而高达150°C的结温工作范围，则赋予了它在严苛环境下稳定运行的可靠性，让您的产品从容应对各种挑战。选择它，就是选择为您的产品嵌入一颗高效而强健的“心脏”。

当您需要在有限的PCB面积内实现双路开关或并联以获取更大电流时，DMN2016UFX-7的V-DFN2050-4超紧凑封装成为了无可比拟的优势。它不仅节省了宝贵的板级空间，其优异的散热性能更能确保芯片在满载时持续稳定输出。更低的栅极电荷（仅14nC）和输入电容，意味着更快的开关速度和更低的开关损耗，特别适合高频开关应用，让您的系统响应更迅捷，整体能效再上一个台阶。我们推荐您通过官方DIODES授权代理渠道进行采购，以确保获得原装正品和全面的技术支持，让您的创新之旅毫无后顾之忧。这颗芯片不仅仅是一个组件，它是您提升产品竞争力、赢得市场的关键伙伴。

• 型号:DMN2016UFX-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:V-DFN2050-4
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2N-CH 24V 9.9A 4VDFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 N-通道（双）
• FET 功能:-
• 漏源电压（Vdss）:24V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):9.9A（Ta）
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:15 毫欧 @ 6.5A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:14nC @ 4.5V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:950pF @ 10V
• 功率 - 最大值:1.07W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:4-VFDFN 焊盘
• 供应商器件封装:V-DFN2050-4
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还在寻找一颗能同时搞定高效率和节省空间的MOSFET吗？DMN2016UFX-7就是为您而来的解决方案。它集成了两个N沟道MOSFET，拥有24V的耐压和9.9A的强大电流处理能力，而其导通电阻低至15毫欧，能显著降低导通损耗，让您的电源转换或电机驱动方案运行得更凉、更高效。

这颗芯片采用先进的V-DFN2050-4超薄封装，为您在智能手机、平板电脑、便携式设备等空间受限的应用中释放出宝贵的PCB面积。同时，其低栅极电荷和宽工作温度范围（-55°C至150°C），让您能轻松设计出响应快速、稳定可靠的高性能产品，全面提升终端用户体验。