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DMN2014LHAB-13
的报价和技术资料 - DIODES公司授权中国代理商 |
DMN2014LHAB-13
分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > FET、MOSFET 阵列
制造厂商:
DIODES(美台)
功能简述:
MOSFET 2N-CH 20V 9A 6UDFN
原厂封装:
封装:U-DFN2030-6(B 类)
优势价格,DMN2014LHAB-13的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
DMN2014LHAB-13的技术资料下载
DMN2014LHAB-13的功能参数资料 - DIODES公司(美台)提供
型号:DMN2014LHAB-13
品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
封装:U-DFN2030-6(B 类)
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > FET、MOSFET 阵列
描述:MOSFET 2N-CH 20V 9A 6UDFN
系列:-
包装:卷带(TR)
产品状态:在售
技术:MOSFET(金属氧化物)
配置:2 N-通道(双)
FET 功能:-
漏源电压(Vdss):20V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):9A(Ta)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):13 毫欧 @ 4A,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):1.1V @ 250A
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):16nC @ 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):1550pF @ 10V
功率 - 最大值:800mW(Ta)
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
等级:-
资质:-
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:6-UFDFN 焊盘
供应商器件封装:U-DFN2030-6(B 类)
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