DMN1004UFV-13

想象一下，您的下一个电源管理设计，是否还在为效率瓶颈和空间限制而妥协？当市场对设备小型化和高性能的追求日益严苛，一颗能够在紧凑空间内爆发巨大能量的MOSFET，往往就是决定产品成败的关键。今天，我们为您带来的DMN1004UFV-13，正是这样一款专为突破极限而生的功率器件。它不仅仅是一个组件，更是您释放产品潜能、赢得市场竞争的强力引擎。

这款N沟道MOSFET拥有高达70A的连续漏极电流承载能力，而导通电阻却低至惊人的3.8毫欧。这意味着什么？在您的同步整流、电机驱动或高密度DC-DC转换器中，它能将导通损耗降至最低，让宝贵的电能更多地转化为有效输出，而不是以热量的形式白白浪费。更低的损耗直接带来了更高的系统效率、更长的电池续航以及更简洁的散热设计，让您的产品在能效比拼中脱颖而出。其12V的漏源电压和宽泛的-55°C至150°C工作温度范围，确保了它在严苛的汽车电子、便携设备或工业环境中依然稳定可靠，游刃有余。

无论是需要瞬间大电流驱动的无人机电调，还是追求极致效率的服务器主板VRM，或是空间寸土寸金的Type-C快充模块，DMN1004UFV-13都能完美融入。它采用的先进PowerDI3333-8封装，在提供卓越散热性能的同时，大幅节省了PCB板面积，让您在设计时拥有更大的灵活性，实现更小巧、更集成的终端产品。选择它，就是选择了一种以更少资源获取更大性能的设计哲学。

在纷繁复杂的元器件市场中，做出正确的选择需要智慧和远见。选择DMN1004UFV-13，您选择的不仅是Diodes Incorporated领先的MOSFET技术，更是一份对高性能与高可靠性的承诺。其优化的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）特性，让开关过程更加迅速、干净，进一步减少了开关损耗，提升了整体响应速度。这一切优势，都将转化为您产品更快的运行速度、更冷静的工作状态和更强大的市场吸引力。若您正在寻找值得信赖的供应链伙伴，专业的DIODES代理将为您提供从选型支持到稳定供货的全方位服务，助您将创新构想快速转化为市场爆款。

• 型号:DMN1004UFV-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:PowerDI3333-8（UX 类）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 12V 70A POWERDI3333
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:12 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):70A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.5V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3.8 毫欧 @ 15A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:47 nC @ 8 V
• Vgs（最大值）:±8V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2385 pF @ 6 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.9W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerDI3333-8（UX 类）
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• 想获取DMN1004UFV-13的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

还在为寻找一颗既能承受大电流又足够小巧高效的MOSFET而烦恼吗？DMN1004UFV-13就是您的理想答案。这颗来自Diodes Incorporated的N沟道功率MOSFET，拥有70A的强大电流处理能力和低至3.8毫欧的导通电阻，能显著降低您电源电路中的导通损耗，轻松提升系统整体效率。

它采用节省空间的PowerDI3333-8封装，让您在紧凑的设计中也能集成强大的功率处理能力。无论是用于同步整流、电机控制还是负载开关，其优异的开关特性（低栅极电荷）和宽工作温度范围（-55°C至150°C），都能确保您设计的稳定与可靠。选择它，让您的高效设计从此轻松实现。