DMN2011UTS-13

在追求极致能效的今天，您的电源管理方案是否还在为开关损耗和散热问题而妥协？想象一下，一颗能在更小的空间内，以更低的导通电阻承载高达21A电流的MOSFET，将如何彻底改变您的设计格局。这正是DMN2011UTS-13带来的核心价值。它不仅仅是一个电子元件，更是您提升产品竞争力、实现性能飞跃的关键引擎。

这颗来自Diodes Incorporated的N沟道MOSFET，以其仅为11毫欧的超低导通电阻，在4.5V驱动电压下就能展现出卓越的导电性能。这意味着在负载点稳压、电机驱动或高效DC-DC转换器中，它能显著降低导通损耗，将更多电能转化为有效输出，而非令人头疼的热量。其紧凑的8-TSSOP封装，完美契合了现代电子产品小型化、高密度的设计趋势，让您在有限的PCB空间内，也能部署强大的功率处理能力。

无论是忙碌的服务器电源、高速运行的网络交换机，还是要求严苛的便携式设备，DMN2011UTS-13都能游刃有余。其宽泛的工作温度范围（-55°C至150°C）确保了在恶劣环境下的稳定可靠，而优化的栅极电荷（Qg）则助力实现更高频率的开关，让您的系统响应更迅捷，整体效率再上一个台阶。选择它，就是选择了一种更冷静、更高效、更可靠的电源路径解决方案。

当您需要为关键项目寻找稳定可靠的货源时，与值得信赖的DIODES一级代理合作至关重要。这确保了您能获得正品保障、充足库存和专业的技术支持，让DMN2011UTS-13的性能优势得以在您的产品中完美释放。从原型设计到量产，这颗芯片以其卓越的参数和稳健的品质，成为工程师们在面对20V、21A应用场景时，无需犹豫的优选。它不仅仅满足了规格书上的要求，更承载着让您的产品在市场中脱颖而出的期待。

• 型号:DMN2011UTS-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:8-TSSOP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 20V 21A 8TSSOP
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:20 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):21A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.5V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:11 毫欧 @ 7A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:56 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±12V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2248 pF @ 10 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.3W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:8-TSSOP
• 封装/外壳:8-TSSOP（0.173
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还在为功率转换效率的瓶颈而烦恼吗？DMN2011UTS-13就是您期待的答案。这颗N沟道MOSFET专为高效开关而设计，其核心使命是让您的系统运行得更“冷静”、更省电。凭借低至11毫欧的导通电阻，它能大幅减少电流通过时的能量损耗，直接转化为更高的整体效率和更低的温升。

它能让您轻松驾驭高达21A的连续电流，在20V的电压平台上稳定工作。无论是用于同步整流、电机控制还是负载开关，其优化的栅极驱动特性（驱动电压低至1.5V）和快速的开关速度，都能帮助您构建出响应更迅捷、能效更出众的电路。选择它，就是为您的产品注入一颗强劲而高效的心脏。