DMN2011UFDF-13

在追求极致效率的电源管理设计中，您是否曾因开关损耗而困扰？是否希望找到一颗既能承载大电流又具备出色热性能的MOSFET？今天，我们为您带来的DMN2011UFDF-13，正是为解决这些核心挑战而生。这款来自Diodes Incorporated的N沟道MOSFET，以其20V的漏源电压和高达14.2A的连续漏极电流能力，重新定义了紧凑型功率器件的性能标准，让您的设计在效率和可靠性上双双跃升。

想象一下，在空间受限的便携式设备、高密度服务器电源模块或是需要快速响应的电机驱动电路中，DMN2011UFDF-13能够大显身手。其超低的9.5毫欧导通电阻（在7A，4.5V条件下），意味着更少的导通损耗和更低的发热，直接转化为更长的电池续航和更稳定的系统运行。无论是用于同步整流、负载开关，还是DC-DC转换器中的关键开关，它都能确保能量以最高的效率传递，让您的产品在激烈的市场竞争中脱颖而出。

选择DMN2011UFDF-13，就是选择了一份从容与自信。它采用先进的U-DFN2020-6封装，在提供强大功率处理能力的同时，保持了极小的占板面积，完美契合现代电子产品小型化的趋势。宽广的-55°C至150°C结温工作范围，确保了它在各种严苛环境下都能稳定工作。更低的栅极电荷（56nC @ 10V）和输入电容，使得开关速度更快，进一步降低了开关损耗，提升了整体系统频率和动态响应。当您需要可靠、高性能的MOSFET解决方案时，通过正规的DIODES授权代理获取这颗芯片，无疑是保障供应链稳定和产品品质的最佳途径。让DMN2011UFDF-13成为您下一个成功设计的强大引擎。

• 型号:DMN2011UFDF-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:U-DFN2020-6（F 类）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 20V 14.2A 6UDFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:20 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):14.2A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.5V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:9.5 毫欧 @ 7A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:56 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±12V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2248 pF @ 10 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.1W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:U-DFN2020-6（F 类）
• 封装/外壳:6-UDFN 焊盘
• 想获取DMN2011UFDF-13的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

还在为寻找一颗能平衡性能、尺寸与成本的功率开关而烦恼吗？DMN2011UFDF-13正是您的理想答案。这颗N沟道MOSFET能为您高效地控制电流通路，其高达14.2A的电流承载能力和低至9.5毫欧的导通电阻，让您轻松实现更低的功率损耗和更高的系统效率。

它采用紧凑的U-DFN2020-6表面贴装封装，为您节省宝贵的PCB空间，同时其优异的散热性能和宽广的工作温度范围（-55°C ~ 150°C），确保您的设计在各种环境下都稳定可靠。无论是用于电源转换、电机驱动还是负载管理，DMN2011UFDF-13都能让您的产品性能更强劲，运行更冷静。