DMN1260UFA-7B

在追求极致能效的电子设计领域，您是否还在为寻找一款能在紧凑空间内稳定驱动负载、同时保持超低功耗的开关解决方案而烦恼？今天，我们为您带来一个令人振奋的答案DMN1260UFA-7B。这颗来自Diodes Incorporated的N沟道MOSFET，以其12V的漏源电压和500mA的连续漏极电流能力，专为那些对空间和效率有严苛要求的应用而生。它不仅仅是一个晶体管，更是您释放产品潜能、提升市场竞争力的关键钥匙。

想象一下，在您的手持设备、可穿戴电子产品或者物联网传感器的核心板上，每一平方毫米都弥足珍贵。DMN1260UFA-7B采用的超紧凑X2-DFN0806-3封装，面积比传统SOT封装大幅缩小，让您的PCB布局拥有前所未有的自由度，轻松实现更小巧、更时尚的产品外观。而其卓越的电气特性更是点睛之笔：在仅4.5V的驱动电压下，导通电阻低至366毫欧，这意味着更少的能量在开关过程中转化为热量，直接延长了电池的续航时间，让您的设备运行更凉爽、更持久。无论是管理电源路径、驱动微型电机，还是控制LED背光，它都能以极高的效率默默工作。

选择DMN1260UFA-7B，就是选择了一份可靠与安心。它宽广的工作温度范围（-55°C至150°C）确保了从严寒到酷热的各种极端环境下都能稳定运行，满足工业级应用的可靠性需求。极低的栅极电荷（0.96nC）和输入电容（60pF）显著降低了开关损耗，让高速开关应用成为可能，系统响应更加敏捷。当您需要稳定、优质的货源和专业的技术支持时，我们的DIODES一级代理身份是您最坚实的后盾，确保您能及时获得正品芯片和全面的服务，加速您的产品从设计到量产的整个过程。让这颗高效能的小巨人，成为您下一个爆款产品中不可或缺的“心脏”部件。

• 型号:DMN1260UFA-7B
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:X2-DFN0806-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 12V 500MA 3DFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:12 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):500mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.5V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:366 毫欧 @ 200mA，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:0.96 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±8V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:60 pF @ 10 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:360mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:X2-DFN0806-3
• 封装/外壳:3-XFDFN
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您正在设计需要精密电源管理或信号切换的便携式设备吗？DMN1260UFA-7B正是为您量身打造的解决方案。这颗N沟道MOSFET能在1.5V至4.5V的低驱动电压下高效工作，以低至366毫欧的导通电阻，轻松驾驭500mA的负载电流，显著减少功率损耗，让您的产品续航更持久、运行更凉爽。

它采用业界领先的超小型3DFN封装，为您节省宝贵的PCB空间，助力实现更轻薄的产品设计。同时，其优异的开关特性（低栅极电荷和输入电容）确保了快速响应和低噪声运行，无论是用于负载开关、电平转换还是电机驱动，都能让您的系统性能更加稳定高效。