DMN10H220LVT-13

在追求极致能效的电子设计领域，您是否还在为如何在小空间内实现高可靠性的功率开关而烦恼？想象一下，一个仅TSOT-26封装的微小身躯，却能稳健驾驭100V电压与近2A的电流，这不仅仅是技术的进步，更是设计自由度的飞跃。今天，我们向您隆重介绍DMN10H220LVT-13，这款来自Diodes Incorporated的N沟道MOSFET，正是您梦寐以求的解决方案。它以其卓越的性能参数，重新定义了紧凑型功率器件的标准，让您的产品在激烈的市场竞争中，凭借内在的“强芯”脱颖而出。

这颗芯片的价值，在于它能无缝融入您多样化的应用蓝图。无论是需要高效电源管理的便携式设备、对空间极其敏感的物联网传感器节点，还是要求快速切换的电机驱动模块，DMN10H220LVT-13都能大显身手。其100V的漏源电压耐压值，为您提供了充足的电压裕度，确保系统在复杂工况下的稳定运行。而1.87A的连续漏极电流能力，则意味着它能轻松应对主流中小功率负载的驱动需求。更令人印象深刻的是，在10V驱动电压下，其导通电阻低至惊人的220毫欧，这直接转化为更低的导通损耗和更少的热量产生，从而提升了整体系统的能效与可靠性，延长设备续航与寿命。

选择DMN10H220LVT-13，就是选择了一份从容与高效。其4.5V的低阈值驱动电压，使其能与现代低压微控制器完美兼容，简化您的驱动电路设计。极低的栅极电荷（仅8.3nC）和输入电容，确保了超快的开关速度，这对于高频开关电源和PWM控制应用至关重要，能显著减少开关损耗，提升动态响应。宽广的工作温度范围（-55°C至150°C）赋予了它应对严苛环境挑战的坚韧品质。当您通过值得信赖的DIODES芯片代理获取这颗芯片时，您获得的不仅是一个高性能组件，更是Diodes Incorporated深厚的工艺技术与质量保证。它将帮助您压缩PCB面积，降低系统热管理难度，最终以更优的成本结构，打造出性能更强、体积更小、续航更久的终端产品，赢得市场先机。

• 型号:DMN10H220LVT-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TSOT-26
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 1.87A TSOT26
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):1.87A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:220 毫欧 @ 1.6A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:8.3 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±16V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:401 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.67W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TSOT-26
• 封装/外壳:SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
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还在寻找那颗能兼顾高性能与微型化的“心脏”吗？DMN10H220LVT-13 N沟道MOSFET正是您的理想之选。它拥有100V的耐压和1.87A的持续电流能力，却精巧地栖身于TSOT-26封装内，让您能在寸土寸金的电路板上轻松实现高效的功率开关与控制。

这颗芯片的核心魅力在于其卓越的能效。仅220毫欧的低导通电阻，意味着更少的能量以热量形式浪费，让您的设备运行更凉爽、续航更持久。同时，其快速开关特性（低栅极电荷）与宽泛的工作温度范围，确保它能在从消费电子到工业控制的多种场景中稳定发挥，大幅提升您产品的整体可靠性与市场竞争力。