DMN10H220L-7

想象一下，当您的电源管理设计需要在紧凑空间内实现高效开关，同时还要兼顾成本与可靠性时，什么样的解决方案才能让您高枕无忧？答案就藏在DMN10H220L-7这颗精巧而强大的N沟道MOSFET之中。它不仅仅是一个电子元件，更是您提升产品性能、优化系统效率的关键伙伴。凭借100V的漏源电压和1.4A的连续漏极电流能力，它在众多同类产品中脱颖而出，为您带来稳定可靠的功率开关保障。

这颗芯片的应用场景极为广泛，无论是消费电子中的充电管理、DC-DC转换，还是工业控制、电机驱动、LED照明等需要高效开关的领域，它都能完美胜任。其SOT-23的超小封装，让您在追求极致紧凑的PCB布局时游刃有余，轻松应对空间受限的挑战。更令人印象深刻的是，它在10V驱动电压下，导通电阻低至220毫欧，这意味着更低的导通损耗和更高的整体效率，直接为您的终端产品带来更长的续航或更低的发热，提升用户体验。

选择DMN10H220L-7，就是选择了一份安心与远见。其宽泛的工作温度范围（-55°C至150°C）确保了它在严苛环境下依然稳定运行，而低至8.3nC的栅极电荷则显著降低了开关损耗，让高速开关应用更加高效。当您需要可靠、高性能的MOSFET解决方案时，从值得信赖的DIODES一级代理处获取正品保障，无疑是确保供应链稳定和产品质量的最佳途径。让这颗集高性能、小尺寸与高可靠性于一身的芯片，成为您下一个成功设计的坚实基石。

• 型号:DMN10H220L-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-23-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 1.4A SOT23
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):1.4A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:220 毫欧 @ 1.6A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:8.3 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±16V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:401 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.3W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-23-3
• 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
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还在为寻找一款体积小巧、性能强劲的功率开关器件而烦恼吗？DMN10H220L-7正是为您量身打造的解决方案。这颗来自Diodes Incorporated的N沟道MOSFET，拥有100V耐压和1.4A的电流处理能力，能让您轻松驾驭各种中低压功率开关应用。

它采用高效的MOSFET技术，在10V驱动下导通电阻仅为220毫欧，显著降低功率损耗，提升系统效率。同时，超低的栅极电荷和输入电容，让开关速度更快、驱动更轻松。其坚固的SOT-23封装节省宝贵板级空间，并能在-55°C至150°C的宽广温度范围内稳定工作，是追求高可靠性设计的理想选择。