DMN10H170SFG-7

在追求极致能效的今天，您的电源设计是否还在为开关损耗和散热问题而妥协？想象一下，一颗能在100V电压下稳定工作，同时将导通电阻控制在极低水平的MOSFET，将如何彻底改变您的产品性能？答案就在DMN10H170SFG-7。这款来自Diodes Incorporated的N沟道功率MOSFET，不仅仅是一个电子元件，更是您实现高效、紧凑、可靠电源解决方案的关键引擎。

它的魅力首先体现在卓越的性能参数上。高达100V的漏源电压和8.5A的连续漏极电流（Tc），赋予了它强大的功率处理能力，足以应对各种严苛的负载波动。而最令人印象深刻的是其极低的导通电阻在10V驱动电压下，仅为122毫欧。这意味着在导通状态下，能量损耗被大幅削减，更多的电能被高效地输送到负载端，直接转化为更低的温升和更高的系统效率。无论是对于延长电池续航，还是降低散热系统成本，这一特性都价值非凡。选择可靠的DIODES一级代理，正是确保您能稳定获得如此高品质芯片的第一步。

当我们将视野投向实际应用，DMN10H170SFG-7的身影几乎无处不在。在紧凑的DC-DC转换器中，它高效的开关特性（栅极电荷Qg仅14.9nC）能显著提升转换频率，让您的电源模块在更小的体积内输出更大的功率。在电机驱动控制板中，其稳健的Vgs承受能力（±20V）和宽广的工作温度范围（-55°C至150°C）确保了在频繁启停和恶劣环境下的长久可靠性。此外，在LED照明驱动、电池保护板乃至各种便携式设备的电源管理单元中，它都是提升整体能效和功率密度的秘密武器。PowerDI3333-8的表面贴装封装，更是为自动化生产和追求轻薄短小的现代电子产品设计铺平了道路。

那么，在纷繁的元器件市场中，为何最终应锁定DMN10H170SFG-7？因为它精准地平衡了性能、效率与成本。它不仅仅满足于参数表上的漂亮数字，更致力于在真实世界中为您创造价值：让您的产品运行更凉爽、续航更持久、设计更自由。它代表了一种设计哲学以更智能的半导体技术，化解功率转换中的固有矛盾。当您下一次为提升那百分之几的效率而苦思冥想，或为散热空间不足而烦恼时，请想起这颗集高性能与高可靠性于一身的MOSFET。选择它，就是选择了一条通往更高效、更可靠电源设计的清晰路径，让您的产品在竞争中脱颖而出，赢得市场与用户的信赖。

• 型号:DMN10H170SFG-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:POWERDI3333-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V PWRDI3333
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.9A（Ta），8.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:122 毫欧 @ 3.3A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:14.9 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:870.7 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:940mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:POWERDI3333-8
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
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您是否正在寻找一颗能大幅提升开关电源效率，同时保持出色可靠性的核心器件？DMN10H170SFG-7正是为您而来的解决方案。这颗N沟道MOSFET拥有100V的耐压和高达8.5A的电流承载能力，其核心魅力在于极低的122毫欧导通电阻，能显著降低导通损耗，让您的系统运行更凉爽、能效更高。

它专为高效开关而优化，极低的栅极电荷（14.9nC）意味着更快的开关速度和更低的驱动损耗，让您轻松实现高频率、高功率密度的DC-DC转换器设计。同时，其坚固的构造和宽广的-55°C至150°C工作结温范围，确保了在各种严苛环境下的稳定表现。

无论是用于电源转换、电机驱动还是负载开关，DMN10H170SFG-7都能让您以更小的体积和更低的系统总成本，实现更强大的功率处理性能和更长的产品寿命，是工程师打造下一代高效能电子产品的理想选择。