DMN10H170SK3-13

在追求极致能效的电力转换设计中，您是否还在为开关损耗和散热问题而烦恼？想象一下，一款能够在100V电压下稳定承载12A电流，同时将导通电阻控制在极低水平的功率MOSFET，将如何彻底改变您的电源方案。今天，我们向您隆重介绍这款性能卓越的开关利器DMN10H170SK3-13，它正是为解决高效与可靠并存的挑战而生。

这款N沟道MOSFET的核心魅力在于其出色的电气特性。仅需4.5V的驱动电压即可实现优异的导通性能，最大导通电阻低至140毫欧，这意味着在开关过程中，能量损耗被大幅削减，更多的电能被有效转换而非浪费为热量。其高达42W的功率耗散能力，配合宽达-55°C至150°C的工作温度范围，赋予了它应对严苛工况的非凡韧性。无论是工业自动化设备中电机驱动的频繁启停，还是通信基站电源模块里需要24小时不间断的稳定供电，DMN10H170SK3-13都能游刃有余，确保系统心脏强劲而持久地跳动。

选择它，就是选择了一份安心与高效。TO-252-3（DPAK）的表面贴装封装，不仅节省了宝贵的PCB空间，更便于自动化生产，大幅提升您的装配效率。极低的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）特性，让开关速度更快，驱动电路的设计得以简化，整体系统响应更加敏捷。当您致力于打造下一代高密度、高效率的AC-DC适配器、DC-DC转换器或电机控制单元时，这颗芯片就是您提升产品竞争力、赢得市场的秘密武器。我们信赖的DIODES代理伙伴，将确保您能稳定、便捷地获取这一优质元器件，为您的创新之旅保驾护航。

• 型号:DMN10H170SK3-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TO-252-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 12A TO252-3
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):12A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:140 毫欧 @ 5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:9.7 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1167 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:42W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-252-3
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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还在寻找那颗能让您的电源设计既强劲又冷静的“心脏”吗？DMN10H170SK3-13正是您期待的答案。这颗来自Diodes的N沟道MOSFET，拥有100V的耐压和12A的连续电流能力，其核心价值在于极低的140毫欧导通电阻，能显著减少开关损耗，直接提升您的整机效率，让热量不再是性能的瓶颈。

它让您轻松驾驭电机驱动、电源转换等应用。仅需4.5V电压即可高效驱动，配合快速的开关特性，您的系统响应将更加敏捷。表面贴装的TO-252封装，节省空间的同时简化生产。选择它，就是为您的产品注入了高效、可靠的核心动力。