DMP2200UDW-7

在追求极致紧凑与高效能的设计竞赛中，您的下一个便携式设备是否还在为空间与功耗的平衡而苦恼？想象一下，一个微小的封装内，蕴藏着双通道的强劲动力，这正是DMP2200UDW-7为您带来的核心价值。这款来自Diodes Incorporated的双P沟道MOSFET阵列，以其SOT-363的超微型封装，重新定义了空间利用率，让您的产品设计在方寸之间也能游刃有余。

无论是需要精密电源管理的TWS耳机、智能手表，还是对体积极为敏感的物联网传感器模块，DMP2200UDW-7都能完美融入。其20V的漏源电压和高达900mA的连续漏极电流，为负载开关、电源路径管理和信号切换提供了坚实可靠的保障。更令人心动的是，在4.5V驱动下仅260毫欧的超低导通电阻，意味着更少的能量损耗转化为热量，直接延长了您终端产品的续航时间，让用户体验到持久的畅快。当您需要稳定、高效的双路开关解决方案时，选择它，就是选择了经过市场验证的可靠性与卓越性能。

为何众多领先品牌在关键设计中信赖DMP2200UDW-7？答案在于其无与伦比的综合表现。它不仅拥有宽泛的-55°C至150°C工作结温范围，适应各种严苛环境，其极低的栅极电荷和输入电容更是确保了快速的开关速度，让系统响应更加敏捷。这意味着您的产品不仅能“跑得远”，还能“反应快”。从原型设计到量产，这颗芯片都能提供一致的优异表现。如果您正在寻找一个能同时优化空间、效率和可靠性的解决方案，那么DMP2200UDW-7无疑是您的不二之选。如需获取样品或技术支持，我们的DIODES中国代理团队随时准备为您提供专业服务，助力您的创意加速落地。

• 型号:DMP2200UDW-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-363
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2P-CH 20V 0.9A SOT363
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 个 P 沟道（双）
• FET 功能:-
• 漏源电压（Vdss）:20V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):900mA
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:260 毫欧 @ 880mA，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.2V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:2.1nC @ 4.5V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:184pF @ 10V
• 功率 - 最大值:450mW
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:6-TSSOP，SC-88，SOT-363
• 供应商器件封装:SOT-363
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还在为电路板上的双路开关选择而纠结吗？DMP2200UDW-7就是您期待的答案。这颗双P沟道MOSFET阵列，能为您在极其紧凑的SOT-363封装内，轻松实现两路独立的负载控制或信号切换，让您的便携式设备设计瞬间变得清爽而高效。

它凭借仅260毫欧的低导通电阻，大幅降低导通损耗，直接提升您的产品能效；同时，其优异的开关特性（栅极电荷仅2.1nC）确保快速响应，让系统运作如行云流水。无论是用于可穿戴设备的电源管理，还是物联网模块的节能控制，它都能让您以更小的空间占用，获得更稳定、更可靠的性能表现，彻底解放您的设计想象力。