DMN10H170SFGQ-7

在追求极致能效与可靠性的汽车电子设计中，您是否曾为寻找一颗能在严苛环境下稳定工作、同时兼顾高性能与紧凑尺寸的功率开关而烦恼？今天，我们为您带来一个令人振奋的解决方案DMN10H170SFGQ-7。这颗来自Diodes Incorporated的N沟道功率MOSFET，专为满足现代汽车电子对效率、空间和可靠性的严苛要求而生，它将为您的设计注入强大的动力与信心。

想象一下，在引擎控制单元（ECU）、LED照明驱动或是DC-DC转换器中，一颗芯片需要承受高达100V的电压冲击，同时还要在-55°C到150°C的极端温度范围内稳定运行。DMN10H170SFGQ-7正是为此类挑战而设计。它采用先进的MOSFET技术，在10V驱动电压下，导通电阻低至122毫欧，这意味着更低的导通损耗和更高的系统效率。无论是管理大灯组、驱动电机，还是在电池管理系统中担任关键开关角色，它都能确保能量以最“顺畅”的方式流动，减少热量产生，提升整体能效。

选择这颗芯片，意味着您选择了一份来自AEC-Q101汽车级认证的可靠承诺。它不仅仅是一个电子元件，更是您产品长期稳定运行的基石。其PowerDI3333-8的超紧凑封装，完美适配高密度PCB布局，让您在有限的空间内实现更强大的功能集成。更低的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）特性，使得开关速度更快，驱动电路设计更简单，从而有效降低系统复杂度和整体成本。当您需要可靠的技术支持和稳定的供货渠道时，我们的DIODES中国代理团队随时准备为您提供全方位的服务，从选型指导到供应链保障，助力您的项目从蓝图走向成功量产。

归根结底，在竞争激烈的市场中，产品的差异化往往源于对核心器件的前瞻性选择。DMN10H170SFGQ-7以其卓越的电气性能、汽车级的可靠性和出色的空间利用率，为您提供了超越竞争对手的坚实硬件基础。它不仅仅优化了您当前的设计，更为未来产品性能的升级和功能拓展预留了充足的空间。立即将这颗高效、可靠的功率开关纳入您的设计清单，开启下一段高效、稳健的创新之旅。

• 型号:DMN10H170SFGQ-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:POWERDI3333-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V PWRDI3333
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.9A（Ta），8.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:122 毫欧 @ 3.3A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:14.9 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:870.7 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:940mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:POWERDI3333-8
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
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您正在寻找一颗能轻松驾驭100V高压、在汽车环境中游刃有余的功率开关吗？DMN10H170SFGQ-7正是您的理想之选。这颗N沟道MOSFET拥有高达8.5A（Tc）的连续漏极电流能力和低至122毫欧的导通电阻，让您的电源管理、电机驱动或LED照明系统实现高效的能量转换，显著降低功耗与发热。

它采用符合AEC-Q101标准的汽车级工艺制造，确保在-55°C至150°C的极端温度下稳定工作，为您提供无与伦比的可靠性。其PowerDI3333-8超小型封装，让您能在紧凑的电路板上实现高密度布局，轻松应对空间受限的设计挑战。选择它，就是选择了一份高效、可靠且节省空间的性能保障。