MMBF170Q-13-F

在追求极致能效的电子设计中，您是否曾为寻找一款既能承受较高电压，又能在紧凑空间内稳定工作的N沟道MOSFET而烦恼？现在，答案就在眼前MMBF170Q-13-F，这颗来自Diodes Incorporated的明星产品，正以其卓越的性能重新定义小信号开关的标杆。它不仅仅是一个元件，更是您提升产品可靠性、简化电路布局、并最终赢得市场的关键伙伴。

想象一下，在您的便携式设备电源管理模块中，或者在需要精密控制的负载开关电路里，DIODES授权代理为您提供的这颗芯片正默默发挥着核心作用。其高达60V的漏源电压（Vdss）和500mA的连续漏极电流能力，让它轻松应对各种中压场景下的开关与调制任务。无论是智能家居中的传感器供电切换，还是工业控制板上的信号隔离，MMBF170Q-13-F都能确保快速、干净的开关动作，有效减少功率损耗和热量产生，让您的系统运行得更冷静、更持久。

选择MMBF170Q-13-F的理由清晰而有力。首先，它在4.5V的低驱动电压下即可实现优异的导通性能，这意味着它能够与大多数低压微控制器或逻辑电路完美配合，无需复杂的电平转换，大大简化了您的设计。其次，其紧凑的SOT-23封装和表面贴装技术，为空间受限的现代电子产品提供了理想的解决方案，让您的PCB布局更加灵活高效。更重要的是，从-55°C到150°C的宽广工作温度范围，赋予了它无与伦比的环境适应性，无论是严寒还是酷热，都能稳定如一，保障您的产品在各种严苛条件下可靠运行。这不仅仅是一颗晶体管，这是为您的创新注入的确定性与信心。

• 型号:MMBF170Q-13-F
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-23-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 500MA SOT23
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):500mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:5 欧姆 @ 200mA，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:40 pF @ 10 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:300mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-23-3
• 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
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还在为电路中的小信号开关选型犹豫不决吗？让MMBF170Q-13-F来为您解决难题！这颗N沟道MOSFET是专为高效、紧凑的电子应用而生的全能选手。它能为您做什么？核心就是让您轻松实现精准、高效的电路通断控制。

凭借60V的耐压和500mA的电流处理能力，它能稳健地担当起电源管理、负载开关或信号路径选择的重任。其低至4.5V的驱动门限，让它可以被大多数微控制器直接驱动，极大简化了您的设计。同时，超低的输入电容（典型值40pF）意味着更快的开关速度和更低的驱动损耗，让您的系统响应更迅捷，能效比更高。

最终，所有这些强大功能都被集成在一个微小的SOT-23封装内。选择它，就是选择了一种让设计更简洁、性能更可靠、空间利用更高效的智慧方案。