DMN10H170SFDE-7

在追求极致能效的今天，您的电源管理方案是否还在为开关损耗和散热问题所困扰？想象一下，一个关键开关器件，能在高频切换中保持冷静，在紧凑空间内稳定输出，这正是DMN10H170SFDE-7为您带来的核心价值。作为Diodes Incorporated精心打造的一款N沟道MOSFET，它不仅仅是一个电子元件，更是您提升产品性能、降低系统复杂度的得力助手。

这款芯片的卓越之处，首先体现在其优异的电气性能上。100V的漏源电压和2.9A的连续漏极电流，为中小功率应用提供了坚实的保障。更令人印象深刻的是其极低的导通电阻在10V驱动下，仅160毫欧的最大值，这意味着在导通状态下，能量损耗被大幅削减，更多的电能被高效转化为有用功，直接为您带来更长的设备运行时间或更小的散热设计压力。其4.5V至10V的宽范围驱动电压，让它可以轻松兼容多种控制逻辑，简化您的驱动电路设计。

无论是便携式设备的DC-DC转换器、电机驱动中的H桥臂，还是LED照明驱动的开关控制，DMN10H170SFDE-7都能游刃有余。其超低的栅极电荷（仅9.7nC）和输入电容，确保了极快的开关速度，这对于提升开关电源的频率、减小磁性元件体积至关重要。在-55°C到150°C的广阔结温范围内，它都能保持稳定工作，让您的产品能够从容应对严寒或酷热的环境挑战，可靠性毋庸置疑。

选择DMN10H170SFDE-7，就是选择了一种更高效、更可靠的设计哲学。它采用先进的U-DFN2020-6（E类）封装，表面积贴装不仅节省了宝贵的PCB空间，其优异的散热性能还能将660mW的功耗轻松管理。这意味着您可以在不牺牲性能的前提下，设计出更小巧、更时尚的终端产品。当您需要稳定可靠的供应链与技术支持时，专业的DIODES芯片代理将是您坚实的后盾，确保这颗高性能芯片能顺利集成到您的创新设计中，助您的产品在市场竞争中脱颖而出。

• 型号:DMN10H170SFDE-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:U-DFN2020-6（E 类）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 2.9A 6UDFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.9A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:160 毫欧 @ 5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:9.7 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1167 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:660mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:U-DFN2020-6（E 类）
• 封装/外壳:6-PowerUDFN
• 想获取DMN10H170SFDE-7的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

还在寻找一颗能兼顾高性能与高可靠性的开关管吗？DMN10H170SFDE-7正是您理想的答案。这颗来自Diodes Incorporated的N沟道MOSFET，拥有100V耐压和2.9A的电流处理能力，其核心魅力在于极低的160毫欧导通电阻，能显著降低开关过程中的功率损耗，让您的电源转换或电机驱动方案效率更高，发热更少。

它能让您轻松应对高频开关场景。得益于仅9.7nC的低栅极电荷和快速的开关特性，您可以提升系统工作频率，从而使用更小体积的电感和电容，实现产品小型化设计。其宽泛的工作温度范围（-55°C ~ 150°C）和表面贴装封装，进一步确保了它在各种严苛环境下的稳定性和易于生产性，是提升产品整体竞争力的高效之选。