ZXMP7A17KTC

在追求极致能效的今天，您的电源管理方案是否还在为开关损耗和散热问题而妥协？想象一下，一颗能够同时驾驭70V高压与3.8A电流，却将导通电阻牢牢控制在毫欧级别的功率开关，将为您的设计带来怎样的性能飞跃？答案就在ZXMP7A17KTC。这款来自Diodes Incorporated的P沟道MOSFET，不仅仅是一个电子元件，更是您提升系统可靠性、延长设备寿命、并最终赢得市场的关键引擎。

无论是工业自动化设备中需要稳定可靠的反极性保护与负载开关，还是消费类电子产品的电池管理电路，ZXMP7A17KTC都能大显身手。其高达70V的漏源电压和3.8A的连续电流能力，为您的设计提供了宽裕的安全余量，从容应对各种电压浪涌和负载波动。更令人惊喜的是，在10V驱动电压下，其导通电阻最大值仅为160毫欧，这意味着更低的导通损耗，更少的发热，直接转化为更高的整体效率和更简洁的散热设计。您无需再为复杂的散热片或风扇而烦恼，系统可以运行得更安静、更凉爽、更持久。

选择ZXMP7A17KTC，就是选择了一份经过市场验证的卓越与稳定。它采用成熟的TO-252-3（DPAK）封装，兼顾了优异的功率处理能力和便捷的表面贴装工艺，非常适合自动化生产。其宽泛的工作温度范围（-55°C至150°C结温）确保了它在严苛环境下依然稳定如一。当您需要可靠、高效且具成本效益的P沟道MOSFET解决方案时，与专业的DIODES代理商合作，获取ZXMP7A17KTC及其完整的技术支持，无疑是加速产品上市、打造核心竞争力的明智之举。让这颗高性能芯片成为您产品中无声却强大的力量源泉，驱动创新，赢得未来。

• 型号:ZXMP7A17KTC
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TO-252-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 70V 3.8A TO252-3
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:70 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3.8A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:160 毫欧 @ 2.1A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:18 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:635 pF @ 40 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.11W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-252-3
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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还在为寻找一颗既能承受高压大电流，又具备极低导通损耗的P沟道MOSFET而烦恼吗？ZXMP7A17KTC正是为您而来的解决方案。它集70V耐压、3.8A持续电流能力于一身，却能将导通电阻（Rds(on)）在10V驱动下控制在极低的160毫欧，这意味着它能显著降低开关过程中的功率损耗，让您的电源电路运行得更高效、更凉爽。

这颗芯片能轻松胜任各种负载开关、电源路径管理和电机控制等关键任务。其优化的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）参数，确保了快速、干净的开关切换，让您的系统响应更迅捷。采用坚固的TO-252-3封装，它为您提供了出色的功率耗散能力（2.11W），并支持-55°C至150°C的宽广工作结温，无论是严苛的工业环境还是紧凑的消费电子设备，都能稳定可靠地工作，是您提升产品性能和可靠性的得力助手。