DMN10H170SFDE-13

在追求极致能效与紧凑设计的今天，您的电源管理方案是否还在为平衡性能与空间而苦恼？想象一下，一颗仅6UDFN封装大小的芯片，却能稳健承载100V电压与2.9A的连续电流，将高效功率转换浓缩于方寸之间这正是DMN10H170SFDE-13为您带来的革新体验。它不仅仅是一个N沟道MOSFET，更是Diodes Incorporated以尖端MOSFET技术为您精心打造的能效引擎，旨在以更低的导通损耗和卓越的开关特性，彻底释放您设计的潜能。

无论是需要高频率切换的DC-DC转换器、力求精简的电机驱动模块，还是对空间极为敏感的便携式设备电源路径管理，DMN10H170SFDE-13都能游刃有余。其低至160毫欧的导通电阻（在10V Vgs条件下）意味着更少的热量产生和更高的能源利用率，让您的终端产品运行更凉爽、续航更持久。而高达150°C的结温工作范围，则赋予了它应对严苛环境与突发负载的强悍可靠性，确保从工业控制到消费电子的各类应用都能稳定运行。

选择DMN10H170SFDE-13，就是选择了一种经过优化的价值平衡。它响应迅速（Qg最大值仅9.7nC），能显著提升开关频率并降低驱动损耗；其紧凑的U-DFN2020-6封装完美适配高密度PCB布局，为您的产品瘦身增能。当您寻求可靠且高性能的半导体解决方案时，与专业的DIODES代理商合作，不仅能确保获得如DMN10H170SFDE-13这样的正品原装器件，更能获得及时的技术支持与供应保障，让您的创新之路畅通无阻。这不仅仅是一颗芯片的升级，更是您产品在效率、尺寸和可靠性上的一次全面飞跃。

• 型号:DMN10H170SFDE-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:U-DFN2020-6（E 类）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 2.9A 6UDFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.9A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:160 毫欧 @ 5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:9.7 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1167 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:660mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:U-DFN2020-6（E 类）
• 封装/外壳:6-PowerUDFN
• 想获取DMN10H170SFDE-13的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

还在为电源转换效率低下和电路板空间紧张而烦恼吗？DMN10H170SFDE-13正是为您解忧的利器。这颗来自Diodes Incorporated的N沟道MOSFET，拥有100V的耐压和2.9A的连续电流处理能力，其核心魅力在于极高的开关效率与极低的功率损耗。

它能让您的DC-DC转换器、电机控制或负载开关电路运行得更快、更凉、更省电。得益于仅160毫欧的低导通电阻和9.7nC的低栅极电荷，您能轻松实现高效能的功率管理，同时其微小的6UDFN封装为您节省宝贵的PCB空间，让复杂设计化繁为简。