DMN10H099SFG-13

在追求极致能效的今天，您的电源管理方案是否还在为开关损耗和散热问题所困扰？想象一下，一款能够在100V电压下稳定工作，同时将导通电阻控制在极低水平的MOSFET，将如何彻底改变您的设计格局？这正是DMN10H099SFG-13带来的核心价值。它不仅仅是一个N沟道MOSFET，更是Diodes Incorporated将高效能与高可靠性融为一体的匠心之作，专为那些对性能有苛刻要求的应用而生。

当我们将目光投向实际应用，这颗芯片的价值便愈发清晰。无论是需要高效DC-DC转换的服务器电源，还是追求快速响应和紧凑布局的电机驱动模块，甚至是便携式设备中那些对空间和热管理极其敏感的负载开关，DMN10H099SFG-13都能游刃有余。其4.2A的连续漏极电流和仅80毫欧的低导通电阻（在10V Vgs，3.3A条件下），意味着更低的传导损耗和更少的热量产生，直接提升了系统整体效率，让终端产品运行更凉爽、续航更持久。其宽广的-55°C至150°C工作结温范围，更是为严苛环境下的稳定运行提供了坚实保障。

那么，在众多同类产品中，为何要坚定地选择它？答案在于其卓越的综合性能与易用性的完美平衡。PowerDI3333-8的超紧凑表面贴装封装，极大地节省了宝贵的PCB空间，非常适合现代高密度设计。同时，优化的栅极电荷（Qg最大值仅25.2nC @ 10V）和输入电容特性，显著降低了开关损耗，让高频开关应用也能轻松驾驭，实现更快的响应速度。这意味着您的产品不仅能获得优异的电气性能，还能在生产和维护中享受到更高的便利性。要确保您获得的是原装正品与可靠的技术支持，通过正规的DIODES授权代理进行采购是关键一步。

归根结底，选择DMN10H099SFG-13，就是选择了一种更智能、更高效的电源管理哲学。它用扎实的参数和经过验证的可靠性，将复杂的功率控制挑战转化为简洁的设计优势。它不仅仅是一个组件，更是您提升产品竞争力、赢得市场先机的强大助力。立即将这款高性能MOSFET纳入您的设计库，亲身体验它如何为您的下一个项目注入强劲动力与卓越能效。

• 型号:DMN10H099SFG-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:POWERDI3333-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 4.2A PWRDI3333
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4.2A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:6V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:80 毫欧 @ 3.3A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:25.2 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1172 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:980mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:POWERDI3333-8
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
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还在为寻找一颗能在紧凑空间内高效处理中等功率的MOSFET而烦恼吗？DMN10H099SFG-13正是为您而来的解决方案。这颗来自Diodes Incorporated的N沟道MOSFET，拥有100V的漏源电压和4.2A的连续电流能力，其核心魅力在于极低的导通电阻（典型值80毫欧），能显著减少功率损耗，让您的电源转换或电机驱动方案运行得更凉爽、更高效。

它采用先进的PowerDI3333-8封装，体积小巧却性能强大，非常适合空间受限的现代电子设备。优化的开关特性（低栅极电荷）让您轻松实现高速切换，提升系统响应速度。无论是用于DC-DC转换器、负载开关还是电机控制，它都能以出色的稳定性和宽广的工作温度范围（-55°C至150°C），确保您的产品在各种环境下可靠运行。