DMG9N65CT

在追求更高能效与更稳定性能的电源设计领域，您是否正在寻找一颗能够兼顾高耐压与出色导通表现的功率开关解决方案？现在，答案就在眼前。我们隆重向您推荐这款来自Diodes Incorporated的卓越功率器件DMG9N65CT。它不仅仅是一个MOSFET，更是您提升产品竞争力、实现设计突破的关键引擎。

这颗N沟道MOSFET拥有高达650V的漏源击穿电压，为您在AC-DC开关电源、电机驱动、工业照明等高压应用场景中筑起了坚实可靠的安全屏障。想象一下，在您的服务器电源或UPS不间断电源中，它能够从容应对电网波动，确保核心负载的稳定运行；在电动工具或家电的电机控制板上，其9A的连续漏极电流能力让动力输出强劲而平顺。其TO-220AB的经典封装形式，不仅意味着出色的散热性能和功率处理能力（最大耗散功率达165W），也代表了广泛的工艺兼容性与便捷的安装体验，让您的生产组装流程高效顺畅。

选择DMG9N65CT，就是选择了一份经得起考验的卓越性能。它在10V驱动电压下，导通电阻典型值表现优异，这意味着更低的导通损耗和更高的整体能效，直接为您节省运营成本，并带来更低温升的可靠表现。仅39nC的低栅极电荷，显著降低了开关损耗，使得开关频率可以更高，从而帮助您优化磁性元件尺寸，实现电源产品的小型化与轻量化设计。从-55°C到150°C的宽广工作结温范围，确保了它在严苛环境下依然稳定工作，极大地提升了终端产品的环境适应性与使用寿命。当您需要可靠、高性能的功率解决方案时，选择值得信赖的DIODES代理合作伙伴，就是为您的项目成功上了一道关键保险。

无论是升级现有产品线，还是开发面向未来的创新设计，DMG9N65CT都能以其强大的参数和稳健的表现，成为您电路中值得信赖的“能量阀门”。它承载着Diodes对品质与创新的承诺，旨在帮助工程师将创意无缝转化为稳定、高效、具有市场杀伤力的产品。立即将这颗高性能MOSFET纳入您的设计库，开启能效与可靠性的新篇章。

• 型号:DMG9N65CT
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TO-220-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 9A TO220AB
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):9A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.3 欧姆 @ 4.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:39 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2310 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:165W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220-3
• 封装/外壳:TO-220-3
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还在为高压开关应用中的效率瓶颈和散热难题而烦恼吗？让DMG9N65CT来为您轻松化解！这颗N沟道MOSFET是专为 demanding 应用而生的功率开关利器。

它拥有650V的高耐压和9A的强电流处理能力，让您在设计AC-DC电源、电机驱动或PFC电路时信心十足。其优化的导通电阻与低栅极电荷特性，能显著降低开关损耗和导通损耗，直接提升您的系统整体能效，同时减少热管理压力。采用坚固的TO-220AB封装，散热性能优异，确保功率稳定输出。

选择DMG9N65CT，就是选择了一个高效、可靠的解决方案，它能帮助您简化设计、提升产品性能，并最终赢得市场认可。