DMT31M6LPS-13

想象一下，您的下一个电源管理设计，能否在30V电压下承载超过35A的电流，同时将导通损耗降至几乎可以忽略的1.35毫欧？这不仅是性能的挑战，更是效率与可靠性的终极考验。现在，答案就在DMT31M6LPS-13。这颗来自Diodes Incorporated的N沟道功率MOSFET，专为严苛的汽车电子与高效电源应用而生，它用极低的导通电阻和卓越的开关性能，重新定义了中低压功率开关的效能标杆。

当您面对汽车引擎控制单元、LED驱动或高密度DC-DC转换器时，每一个组件的选择都至关重要。DMT31M6LPS-13正是为这些核心场景量身打造。其符合AEC-Q101车规标准的品质，确保了从-55°C到150°C的结温范围内稳定工作，无惧极端环境的挑战。PowerDI5060-8的紧凑封装，不仅节省了宝贵的PCB空间，其优异的散热特性更能让系统持续输出高达2.5W的功率。这意味着，无论是提升新能源汽车BMS的采样精度，还是优化服务器电源的转换效率，它都能成为您电路中那个最可靠、最安静的“能量阀门”。

为什么越来越多的工程师在关键项目中转向DMT31M6LPS-13？理由清晰而有力。首先，其1.35毫欧的超低导通电阻（Rds(on)）直接转化为更少的热量损耗和更高的系统整体效率，让您的产品在能效竞赛中脱颖而出。其次，123nC的低栅极电荷与优化的开关特性，显著降低了驱动损耗和开关噪声，使得高频开关设计变得轻松而高效。最后，选择它意味着选择了经过市场验证的可靠性与一致性。如果您正在寻找稳定可靠的供货与技术支援，我们的DIODES中国代理团队将为您提供从样品到量产的全方位服务。这不仅仅是一颗MOSFET，更是您提升产品竞争力、赢得市场的强大助力。

• 型号:DMT31M6LPS-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:PowerDI5060-8（K 类）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 35.8A PWRDI5060
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):35.8A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.35 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:123 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:7019 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.5W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerDI5060-8（K 类）
• 封装/外壳:8-PowerTDFN
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您是否正在寻找一颗能在紧凑空间内，以极高效率控制大电流的开关解决方案？DMT31M6LPS-13正是您的理想之选。这颗30V/35.8A的N沟道MOSFET，凭借其低至1.35毫欧的导通电阻，能显著减少功率损耗，让您的电源模块或电机驱动电路运行得更凉爽、更持久。

它专为汽车级（AEC-Q101）和高可靠性应用设计，宽泛的工作温度范围（-55°C ~ 150°C TJ）确保其在严苛环境下依然稳定。其PowerDI5060-8表面贴装封装兼具优异的散热能力和小尺寸优势，让您轻松实现高功率密度设计。无论是优化开关电源的同步整流，还是提升电池管理系统的控制精度，DMT31M6LPS-13都能以卓越的性能，助您打造更高效、更可靠的产品。