DMG8880LK3-13

当您的电源管理方案需要兼顾高效率与紧凑空间时，是否曾为寻找一颗性能与可靠性兼备的功率开关而烦恼？现在，答案就在眼前。我们隆重推出DMG8880LK3-13，这颗来自Diodes Incorporated的N沟道MOSFET，正是为应对严苛的现代电子应用而生的卓越解决方案。它不仅仅是一个组件，更是您提升产品竞争力、优化系统性能的关键引擎。

想象一下，在您的DC-DC转换器、电机驱动或负载开关电路中，一颗芯片能以极低的导通电阻（仅7.5毫欧）承载高达11A的连续电流，这意味着更少的能量以热量的形式被浪费，系统整体效率得到显著提升。其30V的漏源电压和宽广的-55°C至150°C工作温度范围，赋予了它应对工业环境波动与车载电子严酷考验的非凡韧性。无论是加速消费类产品的充电速度，还是确保自动化设备马达的精准启停，DMG8880LK3-13都能以稳定可靠的表现为您的设计保驾护航。

选择它，就是选择了一份经市场验证的卓越品质。Diodes Incorporated作为业界知名的半导体供应商，其产品以高一致性和长寿命著称。这颗采用TO-252（D-Pak）封装的MOSFET，不仅便于表面贴装生产，其优异的散热特性也简化了您的热管理设计。更低的栅极电荷（仅27.6nC）意味着更快的开关速度，能有效减少开关损耗，让您的系统运行更迅捷、更凉爽。当您通过值得信赖的DIODES代理渠道获取这颗芯片时，您获得的不仅是产品本身，更是从技术支援到稳定供应的全方位保障。尽管该型号已处于停产状态，但其成熟的设计和库存现货，对于许多追求高性价比与可靠性的经典或特定项目而言，依然是无可替代的明智之选。

• 制造商产品型号：DMG8880LK3-13
• 制造商：Diodes Incorporated（美台半导体）
• 描述：MOSFET N-CH 30V 11A TO252
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：-
• 零件状态：停产
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：30V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：11A（Ta）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：7.5 毫欧 @ 11.6A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.3V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：27.6nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±20V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：1289pF @ 15V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：1.68W（Ta）
• 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型：表面贴装型
• 器件封装：TO-252，（D-Pak）
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还在为电源路径上的功率损耗和发热问题头疼吗？DMG8880LK3-13正是您的高效开关解决方案。这颗30V/11A的N沟道MOSFET，凭借其低至7.5毫欧的导通电阻，能显著降低导通损耗，让您的系统运行更凉爽，电能转换更高效。

它能让您轻松驾驭电机驱动、DC-DC转换和负载开关等应用。其优化的栅极驱动特性（Vgs(th)最大2.3V）与快速的开关性能，确保了精准的控制响应。采用坚固的TO-252封装，提供出色的功率处理能力和散热表现，是您构建紧凑、可靠电源系统的得力助手。