DMT2004UFV-7

在追求极致效率的电源管理设计中，您是否曾为寻找一款能在紧凑空间内提供强劲动力的MOSFET而烦恼？想象一下，一款能够在24V电压下承载高达70A电流的功率开关，同时保持超低的导通损耗和快速的开关响应这正是DMT2004UFV-7为您带来的核心价值。它不仅仅是一个电子元件，更是您提升产品性能、降低系统能耗、赢得市场竞争力的关键引擎。

这款来自Diodes Incorporated的N沟道MOSFET，采用先进的MOSFET技术，其最大导通电阻低至5毫欧（在12A，10V条件下），这意味着在相同电流下，它能显著减少热量产生，让您的电源转换效率轻松突破新高。无论是高密度服务器电源、高性能显卡的VRM供电，还是电动工具、无人机电池管理系统中需要快速响应的负载开关，DMT2004UFV-7都能游刃有余。其仅2.5V的低驱动电压门槛，让它可以与多种主流控制器完美匹配，简化您的驱动电路设计。

选择DMT2004UFV-7，就是选择了一份可靠与高效的双重保障。它采用创新的PowerDI3333-8封装，在极小的占板面积内实现了卓越的散热性能，功率耗散能力出众，工作温度范围宽达-55°C至150°C，确保您的产品在严苛环境下依然稳定运行。当您需要可靠的供应链支持时，专业的DIODES芯片代理将成为您坚实的后盾，确保这颗高性能芯片能及时、稳定地交付到您的生产线。它不仅仅优化了单个元件的性能，更是从系统层面为您降低了整体BOM成本和设计复杂度，让您的产品在能效、体积和可靠性上全面领先。

• 型号:DMT2004UFV-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:PowerDI3333-8（UX 类）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 24V 70A POWERDI3333
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:24 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):70A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:5 毫欧 @ 12A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.45V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:53.7 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±12V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1683 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.2W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerDI3333-8（UX 类）
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
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还在为电源路径上的功率损耗和发热问题头疼吗？DMT2004UFV-7正是您的高效解决方案。这颗N沟道MOSFET就像一个反应迅捷、损耗极低的电子开关，能在24V电压下轻松驾驭高达70A的强劲电流，其超低的5毫欧导通电阻，能显著减少能量在开关过程中的浪费，直接转化为更长的设备续航和更低的散热需求。

它让您的设计工作变得异常轻松。仅需2.5V的低驱动电压即可高效开启，与各类主流控制芯片无缝对接。采用紧凑的PowerDI3333表面贴装封装，为您节省宝贵的PCB空间，同时其优异的散热特性确保在高负载下稳定工作。无论是用于同步整流、电机驱动还是负载开关，DMT2004UFV-7都能以卓越的性能，助力您的产品实现更高的功率密度和可靠性。