DMG7N65SJ3

在追求更高能效和更可靠性能的电力电子设计中，您是否曾为寻找一款能在严苛环境下稳定工作的高压MOSFET而烦恼？今天，我们为您带来一个卓越的解决方案DMG7N65SJ3。这款来自Diodes Incorporated的N沟道MOSFET，以其650V的高耐压和5.5A的连续漏极电流能力，为您的高压开关应用注入强劲而稳定的核心动力。它不仅是一颗元器件，更是您提升产品竞争力、确保系统长期可靠运行的关键伙伴。

想象一下，在汽车引擎控制单元、工业电源转换器或是高功率LED驱动器中，DMG7N65SJ3正以其卓越的性能默默发挥着作用。它通过了严苛的AEC-Q101汽车级认证，这意味着它能够从容应对-55°C到150°C的极端温度变化和汽车电子中常见的振动冲击，为您的设计提供车载级别的可靠性保障。无论是面对频繁的开关动作，还是需要处理瞬间的高压浪涌，其低至1.4欧姆的导通电阻和优化的栅极电荷，都能有效降低导通损耗和开关损耗，让您的系统运行更凉爽、更高效。

选择DMG7N65SJ3，就是选择了一份安心与高效。其TO-251封装在提供出色散热性能的同时，也兼顾了PCB布局的灵活性与生产的便利性。高达125W的功率耗散能力，让它在高功率密度设计中游刃有余。当您需要稳定可靠的供应链和技术支持时，专业的DIODES芯片代理将是您坚实的后盾，确保您能及时获得这颗高性能芯片和所需的应用支持。它不仅仅满足了参数表上的需求，更以卓越的品质和稳定性，为您的产品从实验室走向广阔市场铺平了道路，是您打造下一代高效、耐用电力电子设备的明智之选。

• 型号:DMG7N65SJ3
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TO-251
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 5.5A TO251
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.4 欧姆 @ 2.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:25 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:886 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:125W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-251
• 封装/外壳:TO-251-3 短引线，IPAK，TO-251AA
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还在为高压开关应用的效率与可靠性头疼吗？让DMG7N65SJ3来为您分忧！这颗强大的N沟道MOSFET，拥有650V的漏源电压和5.5A的连续电流能力，专为要求严苛的汽车及工业环境而生。它能轻松胜任高频开关任务，显著降低系统的导通与开关损耗，直接提升您的整体能效。

更令人放心的是，它通过了AEC-Q101认证，具备卓越的耐高温和抗冲击特性，确保您的产品在极端条件下依然稳定如初。选择它，就是为您的电源转换、电机驱动或LED照明方案，选择了一颗高效、可靠且耐用的“心脏”，让您的设计脱颖而出。