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| DMTH61M8LPSQ-13的报价和技术资料 - DIODES公司授权中国代理商 |
DMTH61M8LPSQ-13的图片

DMTH61M8LPSQ-13

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分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
制造厂商：DIODES(美台)
功能简述：MOSFET BVDSS: 41V~60V POWERDI506
原厂封装：封装:PowerDI5060-8（K 类）
优势价格，DMTH61M8LPSQ-13的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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DMTH61M8LPSQ-13的功能参数资料 - DIODES公司(美台)提供
  • 型号:DMTH61M8LPSQ-13
  • 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
  • 封装:PowerDI5060-8（K 类）
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
  • 描述:MOSFET BVDSS: 41V~60V POWERDI506
  • 系列:-
  • 包装:卷带（TR）
  • 产品状态:在售
  • FET 类型:N 通道
  • 技术:MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）:60 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):225A（Tc）
  • 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.6 毫欧 @ 30A，10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
  • 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:115.5 nC @ 10 V
  • Vgs（最大值）:±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:8320 pF @ 30 V
  • FET 功能:-
  • 功率耗散（最大值）:3.2W（Ta），187.5W（Tc）
  • 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
  • 等级:汽车级
  • 资质:AEC-Q101
  • 安装类型:表面贴装型
  • 供应商器件封装:PowerDI5060-8（K 类）
  • 封装/外壳:8-PowerTDFN
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