DMG4N60SK3-13

当您需要一款能够在严苛环境下稳定运行，同时兼顾成本效益的功率开关解决方案时，您会如何选择？答案或许就藏在DMG4N60SK3-13这颗性能卓越的N沟道MOSFET之中。它不仅仅是一个电子元件，更是您提升产品可靠性与效率的关键伙伴。凭借高达600V的漏源电压和3.7A的连续漏极电流能力，它为您的设计提供了坚实的功率处理基础，让您在面对电压波动和负载挑战时，拥有从容不迫的底气。

想象一下，在紧凑的开关电源、高效的电机驱动电路或是可靠的照明镇流器中，一颗芯片需要频繁地开启和关断，承受着电应力和热应力的双重考验。DMG4N60SK3-13正是为此类中低功率应用场景而生。其优化的导通电阻（Rds(On)）与栅极电荷（Qg）特性，意味着更低的导通损耗和更快的开关速度，这直接转化为更低的系统温升和更高的整体能效。无论是家用电器中的辅助电源，还是工业控制板上的功率接口，它都能无缝融入，以稳定的表现确保终端产品的长效运行。

选择DMG4N60SK3-13，您选择的是一份来自Diodes Incorporated的品质承诺。虽然该型号已处于停产状态，但其成熟的设计和广泛的应用验证，使其成为许多经典或特定延续性项目的可靠之选。其TO-252（DPAK）表面贴装封装，兼顾了优异的散热性能与自动化生产的便利性，能有效帮助您优化PCB布局和组装流程。更重要的是，通过正规的DIODES授权代理渠道进行采购，您不仅能确保获得原装正品，避免 counterfeit 风险，还能获得专业的技术支持与供应链保障，让您的项目从研发到量产都一路畅通。在追求性能与可靠性的道路上，让这颗经过市场锤炼的芯片，成为您值得信赖的基石。

• 型号:DMG4N60SK3-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TO-252-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 3.7A TO252 Tu0026R
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3.7A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2.3 欧姆 @ 2A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:14.3 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:532 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:48W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-252-3
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• 想获取DMG4N60SK3-13的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

您是否正在寻找一颗能扛起中低功率开关重任，且稳定可靠的“核心开关”？DMG4N60SK3-13正是您的理想选择。这颗来自Diodes Incorporated的N沟道MOSFET，拥有600V的高耐压和3.7A的电流处理能力，让您在设计开关电源、电机驱动或照明应用时，轻松应对主功率通断的挑战。

它采用先进的MOSFET技术，在10V驱动电压下具备优异的导通特性。其低栅极电荷和优化的输入电容，意味着更快的开关速度和更低的驱动损耗，从而帮助您提升系统整体能效，减少热量产生。TO-252封装提供了良好的散热路径，确保芯片在-55°C至150°C的宽广结温范围内都能高效、稳定地工作，为您的产品长期可靠运行保驾护航。