DMG4468LK3-13

您是否正在为下一个电源管理或电机驱动项目寻找一颗性能卓越、稳定可靠且性价比极高的功率开关？想象一下，一个能够轻松承载近10A电流，在30V电压下稳定工作，同时将导通损耗降至最低的解决方案，这不仅仅是提升效率，更是为您的产品注入强大的市场竞争力。今天，我们向您隆重介绍这款来自Diodes Incorporated的明星产品DMG4468LK3-13，它正是您实现高效能设计的理想选择。

这颗N沟道MOSFET以其出色的参数表现，在众多应用场景中大放异彩。无论是紧凑型消费电子产品的DC-DC转换器、负载开关，还是需要精密控制的电机驱动、电池管理系统，DMG4468LK3-13都能游刃有余。其高达9.7A的连续漏极电流和仅16毫欧的超低导通电阻，意味着在开关过程中能量损耗极低，发热量小，这不仅让您的终端产品运行更凉爽、续航更持久，也显著简化了散热设计，为产品小型化腾出了宝贵空间。从-55°C到150°C的宽广工作结温范围，更是确保了它在严苛环境下依然稳定如一，让您的设计无惧挑战。

选择DMG4468LK3-13，就是选择了一份安心与高效。它采用行业通用的TO-252-3（DPAK）表面贴装封装，易于焊接和自动化生产，能有效降低您的制造成本。其优化的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）参数，使得驱动变得简单高效，能够实现更快的开关速度，进一步提升系统整体响应性能。当您需要可靠的原厂正品和及时的技术支持时，选择一家专业的DIODES芯片代理至关重要，他们能确保您获得稳定供货与专业服务，让您的创新之旅畅通无阻。立即将这颗高效能MOSFET纳入您的设计清单，它将以其卓越的电气性能和可靠性，成为您产品成功背后的坚实基石。

• 型号:DMG4468LK3-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TO-252-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 9.7A TO252-3
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):9.7A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:16 毫欧 @ 11.6A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.95V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:18.85 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:867 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.68W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-252-3
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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还在为功率开关的效率和体积发愁吗？DMG4468LK3-13正是为您排忧解难的得力助手。这颗30V/9.7A的N沟道MOSFET，凭借其低至16毫欧的导通电阻，能显著降低开关损耗，让您的电源转换或电机驱动方案效率更高、发热更少，轻松实现更紧凑、更凉爽的产品设计。

它采用易于生产的TO-252-3封装，宽达-55°C至150°C的工作温度范围确保其在各种环境下稳定运行。无论是提升能效、简化散热，还是增强可靠性，DMG4468LK3-13都能让您的设计脱颖而出，高效达成性能目标。