DMN10H170SVTQ-7

在追求极致能效的今天，您的电源管理方案是否还在为开关损耗和空间占用而妥协？想象一下，一颗体积微小却拥有100V耐压和2.6A持续电流能力的MOSFET，能如何重塑您的设计格局。这正是DMN10H170SVTQ-7带来的核心价值它不仅仅是一个电子元件，更是您实现高效、紧凑、可靠设计的强大引擎。

当您面对DC-DC转换器、电机驱动或负载开关等应用时，这颗芯片的优势将展露无遗。其N沟道设计和低至160毫欧的导通电阻，意味着在导通状态下，能量损耗被大幅削减，更多电能被有效传递至负载，直接提升了整机效率并降低了温升。而高达100V的漏源电压耐受力，则为您的系统提供了宽裕的安全工作区，从容应对电压波动与尖峰冲击，让稳定性不再是奢求。其卓越的开关性能，得益于优化的栅极电荷与电容特性，能实现快速、干净的开关动作，这对于高频开关电源和PWM控制应用至关重要，能显著减少开关噪声并提升动态响应。

选择DMN10H170SVTQ-7，就是选择一种面向未来的设计哲学。它采用先进的TSOT-26封装，在提供强大电气性能的同时，将占板面积压缩到极致，完美契合当今电子产品小型化、高集成的趋势。从-55°C到150°C的宽广工作结温范围，确保了它在严苛环境下的可靠运行，无论是工业自动化设备还是汽车电子周边，都能游刃有余。为了让您能更便捷地将这颗高性能芯片集成到项目中，我们推荐您通过专业的DIODES中国代理获取原装正品与技术支援。归根结底，它为您带来的不仅是参数的提升，更是整体系统性能的飞跃、开发周期的缩短以及最终产品市场竞争力的强化。让DMN10H170SVTQ-7成为您下一个成功设计的秘密武器。

• 型号:DMN10H170SVTQ-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TSOT-26
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 2.6A TSOT26
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.6A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:160 毫欧 @ 5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:9.7 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1167 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.2W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TSOT-26
• 封装/外壳:SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
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还在寻找一颗能在紧凑空间内扛起高效开关重任的“核心动力”吗？DMN10H170SVTQ-7正是为您而来的答案。这颗N沟道MOSFET拥有100V的坚固耐压和2.6A的持续电流能力，其核心魅力在于低至160毫欧的导通电阻，能显著降低导通损耗，让您的电源转换或电机驱动方案运行得更凉爽、更高效。

它采用易于焊接的TSOT-26表面贴装封装，能轻松融入高密度PCB布局，为您节省宝贵的板级空间。优化的栅极特性确保了快速、干净的开关动作，让您轻松实现精准的功率控制。无论是提升现有产品的能效，还是为创新设计注入强劲动力，DMN10H170SVTQ-7都是您值得信赖的伙伴。