DMG3402L-7

在追求极致能效的电子设计领域，您是否还在为寻找一款既能承载高电流又具备出色开关性能的紧凑型MOSFET而烦恼？现在，答案就在眼前。DMG3402L-7的到来，正是为了终结您的选型困境。这款来自Diodes Incorporated的N沟道MOSFET，以其30V的耐压和高达4A的连续漏极电流能力，在微小的SOT-23封装内迸发出令人惊叹的能量密度，让您的电源管理、电机驱动或负载开关设计瞬间跃升一个能效等级。

想象一下，在便携式设备的电池保护电路中，它能够以极低的导通电阻（仅52毫欧@4A,10V）最大限度地减少功率损耗，延长设备的续航时间；在高效DC-DC转换器的同步整流侧，其快速的开关特性和低栅极电荷（仅11.7nC）让高频运作游刃有余，显著提升整体转换效率。无论是消费电子、工业控制还是物联网节点，DMG3402L-7都能无缝融入，成为提升系统可靠性与性能的隐形功臣。其宽广的工作温度范围（-55°C至150°C）更是确保了在严苛环境下依然稳定如初。

选择DMG3402L-7，意味着您选择了一种高性价比的解决方案。它不仅在性能参数上表现出色，更以极具竞争力的价格，帮助您在控制整体BOM成本的同时不牺牲任何品质。其表面贴装的SOT-23封装极大节省了宝贵的PCB空间，非常适合高密度设计。当您需要可靠、高效且经济的MOSFET时，DMG3402L-7就是那个能让您的设计脱颖而出的关键组件。如需获取样品或进行批量采购，我们的官方DIODES代理商将为您提供专业的技术支持与便捷的供应链服务。

• 型号:DMG3402L-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-23-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 4A SOT23
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:52 毫欧 @ 4A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:11.7 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±12V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:464 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.4W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-23-3
• 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
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还在为空间受限的设计寻找一颗“小身材、大能量”的开关核心吗？DMG3402L-7正是您期待的答案。这颗N沟道MOSFET能在仅2.5V的低驱动电压下高效导通，以低至52毫欧的导通电阻处理高达4A的连续电流，让您的电源路径损耗大幅降低，系统运行更凉爽、更持久。

它专为追求效率与可靠性的应用而生。无论是快速切换的负载开关、高效的DC-DC转换，还是精密的电机控制，其低栅极电荷和快速开关特性都能让您轻松实现高性能设计。宽达-55°C至150°C的工作结温范围和坚固的SOT-23封装，更确保了它在各种挑战性环境下的稳定表现，是您提升产品竞争力的可靠伙伴。