DMG3401LSNQ-13

在追求极致能效与紧凑设计的今天，您的电源管理方案是否还在为空间与性能的平衡而烦恼？想象一下，一颗仅SC-59-3封装的器件，却能稳健承载3A电流，将导通电阻控制在惊人的50毫欧以下这不仅仅是参数，更是DMG3401LSNQ-13为您带来的现实突破。它来自Diodes Incorporated，以其卓越的P通道MOSFET技术，重新定义了小尺寸功率器件的性能标杆。

无论是便携设备中需要精密开关的电池保护电路，还是智能穿戴设备里对功耗极其敏感的电源路径管理，甚至是紧凑型适配器和车载充电器的负载开关，DMG3401LSNQ-13都能游刃有余。其30V的漏源电压和宽达-55°C至150°C的工作结温，确保了从消费电子到工业环境的各种严苛场景下，系统都能获得稳定可靠的“电力闸门”。低至1.3V的栅极阈值电压，让它能与现代低功耗微控制器完美搭档，实现高效、快速的数字控制，让您的产品设计更加灵活自如。

选择DMG3401LSNQ-13，就是选择了一种高性价比的可靠性解决方案。它不仅仅是一个MOSFET，更是您提升产品竞争力、优化BOM成本的关键一环。其极低的栅极电荷（仅25.1nC）和输入电容，显著降低了开关损耗，让整个系统的能效表现更上一层楼。当您需要稳定、高效的P通道MOSFET时，与专业的DIODES代理商合作，获取DMG3401LSNQ-13及其完整的技术支持，无疑是加速项目落地、保障供应链稳定的明智之举。让这颗小巧而强大的芯片，成为您下一个创新产品中无声却坚实的动力基石。

• 型号:DMG3401LSNQ-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SC-59-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 30V 3A SC59-3
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:50 毫欧 @ 4A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:25.1 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±12V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1326 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:800mW
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SC-59-3
• 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
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还在寻找一颗能完美平衡性能与尺寸的P通道MOSFET吗？DMG3401LSNQ-13正是您的理想之选。它能为您高效地控制电源通断，凭借仅50毫欧的超低导通电阻，大幅减少功率损耗，让您的设备运行更凉爽、续航更持久。

这颗芯片让您轻松驾驭高达3A的连续电流和30V的电压，其紧凑的SC-59-3表面贴装封装，尤为适合空间受限的现代电子产品设计。无论是用于负载开关、电源转换还是电机驱动，它都能提供稳定可靠的性能，助您快速实现高效、紧凑的电源管理方案。