DMG2302UK-13

在追求极致能效与可靠性的电子设计领域，您是否还在为寻找一款能在紧凑空间内稳定驱动负载、同时兼顾成本与性能的功率开关而烦恼？今天，我们为您带来的DMG2302UK-13，正是这样一颗能够完美平衡这些需求，为您的产品注入强劲动力的N沟道MOSFET。它不仅仅是一个组件，更是您提升产品竞争力、赢得市场的关键伙伴。

想象一下，在您的便携式设备、智能穿戴或车载辅助系统中，需要一颗小巧但强大的“心脏”来高效控制电源通路。DMG2302UK-13凭借其仅SOT-23的微型封装，却能持续承载高达2.8A的电流，并耐受20V的漏源电压，轻松应对各种负载切换挑战。其低至90毫欧的导通电阻（在4.5V Vgs条件下），意味着更低的导通损耗和更少的热量产生，直接提升了系统的整体能效和续航时间，让您的设备运行更冷静、更持久。这正是Diodes Incorporated深厚技术积淀的体现，选择可靠的DIODES代理，就是为您的供应链注入一份安心与保障。

这颗芯片的价值远不止于参数本身。它专为严苛环境而生，符合AEC-Q101汽车级标准，工作温度范围宽达-55°C至150°C，无论是面对炎夏的车内高温，还是严寒的户外启动，都能稳定如一，确保您的系统在各种极端条件下可靠运行。其优化的栅极电荷（Qg仅2.8nC）和输入电容，使得开关速度更快，驱动更轻松，特别适合需要高频开关的DC-DC转换器、电机驱动、负载开关等应用场景。这意味着您可以简化驱动电路设计，减少外围元件，从而节省宝贵的PCB空间和整体BOM成本。

当您为下一个项目选型时，DMG2302UK-13给出了一个难以拒绝的理由：它成功地将高性能、高可靠性与微型化、经济性融为一体。您无需在功率、尺寸和成本之间做出妥协。它让设计工程师能够游刃有余地实现更精巧、更高效、更稳健的电源管理方案，最终打造出令终端用户惊喜的产品体验。选择DMG2302UK-13，就是选择了一个经过市场验证的可靠解决方案，为您的创新之路扫清障碍，助您快速将创意转化为成功的产品。

• 型号:DMG2302UK-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-23-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 20V 2.8A SOT23
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:20 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.8A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.5V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:90 毫欧 @ 3.6A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:2.8 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±12V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:130 pF @ 10 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:660mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-23-3
• 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
• 想获取DMG2302UK-13的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

您正在寻找一颗能轻松驾驭2-3安培级负载开关、体积小巧却性能强悍的MOSFET吗？DMG2302UK-13正是您的理想之选。这颗来自Diodes Incorporated的N沟道MOSFET，采用先进的MOSFET技术，在微型SOT-23封装内集成了卓越的电气特性。

它能为您做什么？它让您能够高效地控制电源通路，其2.8A的连续漏极电流和20V的耐压能力，足以应对大多数便携设备、电源管理和电机驱动的需求。关键是其极低的导通电阻（典型值90mΩ @ 4.5V Vgs）和微小的栅极电荷，能显著降低开关损耗和驱动需求，从而提升系统整体效率，并让您的散热设计变得更加轻松。无论是用于DC-DC转换、负载开关还是其他功率切换应用，它都能帮助您实现更紧凑、更可靠且更具成本效益的设计。