DMG2302UKQ-13

想象一下，您正在设计一款紧凑型智能设备，需要在极小的空间内实现高效、可靠的电源切换，同时还要满足严苛的汽车级可靠性要求这听起来是不是一个巨大的挑战？现在，这个挑战有了一个优雅的解决方案：DMG2302UKQ-13。这款来自Diodes Incorporated的N沟道MOSFET，以其卓越的性能和微小的SOT-23封装，正在重新定义小型化、高性能电源管理的可能性。

它不仅仅是一个开关，更是您产品稳定、高效运行的关键守护者。凭借高达2.8A的连续漏极电流和仅20V的漏源电压，它完美适配各类低压、大电流的负载切换场景。无论是便携式消费电子中的电池管理、USB端口的电源路径控制，还是车载信息娱乐系统、LED照明驱动中的精密开关，DMG2302UKQ-13都能轻松胜任。其极低的导通电阻（最大值仅90毫欧@4.5V）意味着更少的能量损耗和发热，直接转化为更长的设备续航和更高的系统效率。选择我们作为您的DIODES芯片代理，您将获得从这颗芯片开始的完整技术支持与供应链保障。

为什么越来越多的工程师在众多选择中锁定它？答案在于其无与伦比的综合价值。首先，它通过了AEC-Q101汽车级认证，能够在-55°C至150°C的极端温度范围内稳定工作，这为您的产品注入了工业级和汽车级的可靠基因。其次，其超低的栅极电荷（仅2.8nC）和输入电容，使得开关速度极快，驱动简单，大大简化了您的驱动电路设计，降低了整体BOM成本。最后，SOT-23封装在提供强大性能的同时，几乎不占用宝贵的PCB空间，让您的设计可以更加自由、紧凑。在追求性能、可靠性与成本完美平衡的道路上，DMG2302UKQ-13就是您值得信赖的伙伴，助您将创新构想快速、稳健地转化为市场领先的产品。

• 型号:DMG2302UKQ-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-23-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 20V 2.8A SOT23 Tu0026R 1
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:20 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.8A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.5V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:90 毫欧 @ 3.6A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:2.8 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±12V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:130 pF @ 10 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:660mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-23-3
• 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
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还在为寻找一颗既能扛起大电流，又能塞进紧凑空间的可靠开关而烦恼吗？DMG2302UKQ-13正是为您而来的解决方案。这颗N沟道MOSFET能为您高效、精准地控制高达2.8A的电流通断，其卓越的90毫欧低导通电阻让能量损耗降至最低，直接提升您设备的整体能效和续航时间。

它专为严苛环境而生，拥有汽车级AEC-Q101认证，确保从-55°C到150°C的极端温度下依然稳定如一，让您的产品无论是面对户外严寒还是车内高温都游刃有余。同时，其微小的SOT-23封装和快速的开关特性，让您能轻松优化PCB布局，简化驱动设计，最终以更低的系统成本实现更高性能与可靠性。