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DMC4029SSDQ-13的图片

DMC4029SSDQ-13

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分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > FET、MOSFET 阵列
制造厂商:DIODES(美台)
功能简述:MOSFET N/P-CH 40V 9A 8SO
原厂封装:封装:8-SO
优势价格,DMC4029SSDQ-13的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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DMC4029SSDQ-13的功能参数资料 - DIODES公司(美台)提供

在追求极致能效与紧凑设计的现代电子世界,您是否正为寻找一款既能简化电路布局,又能提供稳定可靠性能的功率开关解决方案而烦恼?今天,我们为您带来一个令人振奋的答案DMC4029SSDQ-13。这款来自Diodes Incorporated的N/P沟道互补MOSFET阵列,正是为应对严苛应用挑战而生的高性能引擎。它不仅通过了严苛的AEC-Q101汽车级认证,更以高达40V的耐压、出色的导通电阻和宽广的工作温度范围,为您产品的核心动力单元注入强大而稳定的能量。

想象一下,在您的汽车电子模块中,无论是负责车身控制的BCM,还是精密的电机驱动单元,都需要快速、精准且低损耗的开关动作。DMC4029SSDQ-13正是为此场景量身打造。其N沟道与P沟道MOSFET的完美互补,让您在设计推挽输出、半桥或全桥电路时得心应手,极大地简化了外围电路,节省了宝贵的PCB空间。高达7A/5.1A的连续漏极电流能力,配合低至24毫欧的导通电阻,意味着更低的导通损耗和发热,直接提升了系统的整体效率与可靠性。从-55°C到150°C的结温工作范围,确保您的设备即便在极寒或酷热的环境下,也能如常稳定运行,这正是其“Automotive”系列血统的硬核体现。

选择DMC4029SSDQ-13,您选择的不仅仅是一颗芯片,更是一份对品质和性能的承诺。它集高效、可靠、紧凑于一身,是工程师在面对空间受限、效率要求高、环境条件严酷的设计任务时的理想伙伴。其8-SOIC的紧凑封装,非常适合高密度表面贴装,让您的产品设计更加纤薄轻巧。为了确保您能获得稳定、正品的货源与专业的技术支持,我们强烈推荐您通过值得信赖的DIODES一级代理进行采购。让DMC4029SSDQ-13成为您下一个成功产品的强大心脏,驱动创新,赢在未来。

  • 型号:DMC4029SSDQ-13
  • 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
  • 封装:8-SO
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > FET、MOSFET 阵列
  • 描述:MOSFET N/P-CH 40V 9A 8SO
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:在售
  • 技术:MOSFET(金属氧化物)
  • 配置:N 和 P 沟道互补型
  • FET 功能:-
  • 漏源电压(Vdss):40V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):9A(Ta),6.5A(Ta)
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):24 毫欧 @ 6A,10V,45 毫欧 @ 5A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):3V @ 250A
  • 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):8.8nC @ 4.5V,10.6nC @ 4.5V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):1060pF @ 20V,1154pF @ 20V
  • 功率 - 最大值:1.8W(Ta)
  • 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 等级:汽车级
  • 资质:AEC-Q101
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)
  • 供应商器件封装:8-SO
  • 想获取DMC4029SSDQ-13的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

还在为复杂的功率电路设计头疼吗?让DMC4029SSDQ-13来为您化繁为简!这颗由Diodes Incorporated出品的汽车级N/P沟道MOSFET阵列,是您实现高效、紧凑电源管理的得力助手。它内置互补的MOSFET对,让您轻松构建推挽、半桥等高效开关电路,大幅节省布局空间和元件数量。

凭借40V的耐压、出色的电流承载能力(高达7A/5.1A)以及极低的导通电阻,它能显著降低开关损耗和发热,让您的系统运行更凉爽、更高效。其宽广的工作温度范围(-55°C ~ 150°C)和AEC-Q101认证,确保了在汽车电子等严苛环境下的卓越可靠性。选择它,就是为您的产品选择了一颗强劲而稳健的“动力芯”。

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