DMC1016UPD-13

在追求极致能效与紧凑设计的今天，您的电源管理方案是否还在为分立器件的布局和性能妥协而烦恼？想象一下，将高性能的N沟道与P沟道MOSFET完美集成于一个微小的封装内，同时实现高达9.5A的连续电流承载与低至17毫欧的导通电阻这并非遥不可及的理想，而是DMC1016UPD-13为您带来的现实突破。这款来自Diodes Incorporated的先进MOSFET阵列芯片，正以其卓越的集成度和电气性能，重新定义紧凑型电源设计的可能性。

无论是空间寸土寸金的智能手机快充模块、需要高效热管理的超薄笔记本电脑主板，还是对可靠性要求严苛的汽车辅助电子系统，DMC1016UPD-13都能游刃有余。其8V至24V的宽泛电压适应范围，配合-55°C至150°C的广阔工作温度，确保了从消费电子到工业控制，从便携设备到车载应用的广泛适应性。这颗芯片就像一位沉默而强大的全能助手，在您看不见的电路板角落，高效地执行着功率开关与路径管理的核心任务，让您的终端产品在性能、尺寸与成本之间找到黄金平衡点。

选择DMC1016UPD-13，意味着您选择了一种更智能的设计哲学。它不仅仅是一颗元件，更是一个经过优化的系统级解决方案。极低的栅极电荷（32nC）与输入电容，显著降低了开关损耗，提升了整体能效；而先进的PowerDI5060-8封装技术，在提供2.3W强大散热能力的同时，将占板面积压缩到极致。这意味着您的产品可以更轻薄、运行更凉爽、续航更持久。当您需要可靠的技术支持和稳定的供货保障时，信赖专业的DIODES代理伙伴，将是您项目成功路上的坚实后盾。立即将DMC1016UPD-13纳入您的设计，体验集成化功率管理带来的降维打击，让您的产品在激烈的市场竞争中，凭借内在的“芯”优势脱颖而出。

• 型号:DMC1016UPD-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:PowerDI5060-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET N/P-CH 12V 9.5A PWRDI50
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:N 和 P 沟道
• FET 功能:-
• 漏源电压（Vdss）:12V，20V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):9.5A，8.7A
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:17 毫欧 @ 11.8A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:32nC @ 8V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1454pF @ 6V
• 功率 - 最大值:2.3W
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-PowerTDFN
• 供应商器件封装:PowerDI5060-8
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还在为复杂的双MOSFET布局和性能匹配头疼吗？DMC1016UPD-13为您提供了一站式的高效解决方案。这颗高度集成的N和P沟道MOSFET阵列，能让您轻松实现紧凑、高效的同步整流或负载开关电路设计，大幅节省宝贵的PCB空间。

它拥有出色的电气特性：高达9.5A的持续电流能力配合仅17毫欧的超低导通电阻，确保功率传输过程中的损耗降至最低，让您的系统运行更凉爽、能效更高。同时，其快速的开关性能（Qg仅32nC）和宽广的工作温度范围（-55°C至150°C），使其能够从容应对从消费电子到汽车电子的各种严苛应用场景，是您提升产品功率密度和可靠性的理想选择。