DMC3730UVT-13

想象一下，在您的下一代便携式设备或汽车电子模块中，如何实现更紧凑的布局、更低的功耗和更可靠的性能？答案或许就藏在这颗小小的芯片里。DMC3730UVT-13，这颗来自Diodes Incorporated的N和P沟道互补型MOSFET阵列，正是为应对这些严苛挑战而生的卓越解决方案。它不仅仅是一个电子元件，更是您产品实现高效能、高密度设计的秘密武器。

当您面临空间极度受限的设计时，它的TSOT-26超薄封装优势就凸显出来了。在智能手机的电源管理路径、TWS耳机的充电保护电路，或是车载信息娱乐系统的局部电源切换中，它都能以极小的占板面积，提供稳定可靠的25V耐压和高达680mA的连续电流能力。其互补对设计让电路更加简洁，减少了外围器件数量，直接为您节省了宝贵的PCB空间和BOM成本。更令人振奋的是，它通过了严苛的AEC-Q101车规认证，从-55°C到175°C的结温范围内都能稳定工作，这意味着无论是炎热的引擎舱旁，还是严寒的户外环境，您的系统都能获得坚实的保护。

选择DMC3730UVT-13，就是选择了一份从容与高效。极低的导通电阻（最低仅450毫欧）意味着更少的功率损耗和更长的电池续航，而超低的栅极电荷和输入电容则确保了快速的开关速度，让您的系统响应更加敏捷。这一切性能优势，都封装在一个易于贴装的表面贴装型外壳内。如果您正在寻找稳定可靠的货源与技术支持，我们的DIODES一级代理身份能确保您获得正品保障和及时的服务。让这颗集高性能、高可靠性与高集成度于一身的芯片，成为您撬动市场优势的有力支点，助力您的产品在竞争中脱颖而出。

• 型号:DMC3730UVT-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TSOT-26
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET N/P-CH 25V 0.68A TSOT26
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:N 和 P 沟道互补型
• FET 功能:-
• 漏源电压（Vdss）:25V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):680mA（Ta），460mA（Ta）
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:450 毫欧 @ 500mA，4.5V，1.1 欧姆 @ 500mA，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:1.64nC @ 4.5V，1.1nC @ 4.5V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:50pF @ 10V，63pF @ 10V
• 功率 - 最大值:700mW
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
• 供应商器件封装:TSOT-26
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还在为复杂的双MOSFET电路布局而烦恼吗？DMC3730UVT-13为您提供了一个优雅的答案。这颗车规级互补MOSFET阵列，将N沟道和P沟道管芯集成于微型TSOT-26封装内，让您轻松实现紧凑高效的电源路径管理、信号切换或电机驱动方案。

它凭借低至450毫欧的导通电阻和极低的栅极电荷，能显著降低开关损耗和驱动需求，提升系统整体能效。其宽广的工作温度范围（-55°C至175°C）和25V的耐压，确保您的设计在各类严苛环境下都能稳定运行。选择它，就是选择用更少的空间和更简化的设计，获得更卓越的性能与可靠性。