DMC3071LVT-13

在追求极致能效与紧凑设计的今天，您的下一个电源管理或信号切换方案，是否还在为寻找一颗性能与体积完美平衡的芯片而烦恼？想象一下，一颗集成了N沟道与P沟道MOSFET的互补型阵列，能以极低的导通电阻和栅极电荷，在微型封装内实现高效、快速的开关控制这正是DMC3071LVT-13为您带来的核心价值。它不仅仅是一个组件，更是您提升产品竞争力、实现设计创新的关键引擎。

这颗来自Diodes Incorporated的明星产品，专为应对空间受限且对效率要求严苛的应用而生。其N沟道和P沟道互补的设计，让它在负载开关、电源路径管理、电机驱动以及信号电平转换等场景中游刃有余。无论是便携式设备中需要精密控制的电源模块，还是工业自动化系统中要求快速响应的驱动电路，DMC3071LVT-13都能凭借其高达30V的漏源电压和出色的电流处理能力（连续漏极电流最高达4.6A），确保系统稳定可靠地运行。其低至50毫欧的导通电阻，意味着更少的能量损耗和发热，直接为您带来更长的电池续航和更冷静的系统表现。

选择DMC3071LVT-13，就是选择了一份经过市场验证的卓越与可靠。它采用先进的TSOT-26封装，在节省宝贵PCB空间的同时，确保了优异的散热性能和焊接可靠性。宽广的工作温度范围（-55°C至150°C）让它无惧严苛环境挑战。更重要的是，其极低的栅极电荷和输入电容，使得开关速度极快，能显著提升系统的整体响应频率和效率。当您需要将高性能、高集成度与高性价比融为一体时，DIODES中国代理为您提供的DMC3071LVT-13无疑是最明智的答案。它简化了您的设计流程，降低了BOM成本，最终让您的终端产品在市场上脱颖而出，赢得先机。

• 型号:DMC3071LVT-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TSOT-26
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET N/P-CH 30V 4.6A TSOT26
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:N 和 P 沟道互补型
• FET 功能:-
• 漏源电压（Vdss）:30V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4.6A（Ta），3.3A（Ta）
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:50 毫欧 @ 3.5A，10V，95 毫欧 @ 3.8A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:4.5nC @ 10V，6.5nC @ 10V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:190pF @ 15V，254pF @ 15V
• 功率 - 最大值:700mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
• 供应商器件封装:TSOT-26
• 想获取DMC3071LVT-13的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

还在为复杂的双MOSFET布局和性能匹配头疼吗？让DMC3071LVT-13来为您化繁为简！这颗高度集成的互补MOSFET阵列，将高性能的N沟道和P沟道管芯封装于微小的TSOT-26之中，为您提供一站式的开关解决方案。

它能让您轻松实现高效的负载开关和电源管理，其低至50毫欧的导通电阻和极低的栅极电荷，确保了最低的导通损耗和最快的开关速度，显著提升系统能效。无论是驱动小型电机，还是进行精准的信号路径切换，它都能稳定胜任，助您打造更紧凑、更可靠、更具竞争力的电子产品。