DGTD65T50S1PT

在追求极致能效的电力电子世界，如何让您的功率转换系统在保持强劲动力的同时，将损耗降至最低？答案就蕴藏在每一颗精心设计的功率器件之中。今天，我们向您隆重介绍一款能够重新定义中高功率应用性能标杆的明星产品DGTD65T50S1PT。它不仅仅是一个IGBT，更是您提升产品竞争力、实现高效可靠运行的强大引擎。

想象一下，在工业电机驱动中，它能够以高达100A的连续集电极电流和650V的坚固耐压，从容应对频繁启停和负载波动，确保电机平稳、安静且高效地运转。其2.4V的低饱和压降（Vce(on)）意味着在导通状态下，更多的电能被转化为有用的机械能，而非令人头疼的热量，直接帮助您降低系统温升和散热成本。而在太阳能逆变器或UPS不间断电源领域，其优异的场截止技术和快速的开关特性（开关能量开770J，关550J），能显著提升逆变效率，让每一缕阳光或每一度市电的转换都更加彻底，为绿色能源和关键电力保障注入强劲心脏。

选择DGTD65T50S1PT，就是选择了一份经得起考验的可靠性。它采用坚固的TO-247封装，提供卓越的散热能力，确保在-40°C至175°C的严苛结温范围内稳定工作。无论是面对工业环境的粉尘振动，还是户外应用的温差挑战，它都能泰然处之。其优化的栅极电荷（287nC）与开关时间参数，让驱动电路设计更为简洁高效，有效减少开关损耗，提升系统整体频率响应。这意味着您的产品不仅能“跑得快”，更能“跑得远”、“跑得稳”。当您需要为关键项目寻找值得信赖的核心功率器件时，与可靠的DIODES一级代理合作，确保您获得正品货源、专业的技术支持以及有竞争力的交付，无疑是让项目成功落地的最明智决策。让DGTD65T50S1PT成为您下一个明星产品的力量核心，共同开启高效、可靠的电能转换新篇章。

• 型号:DGTD65T50S1PT
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TO-247
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
• 描述:IGBT FIELD STOP 650V 100A TO-247
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• IGBT 类型:场截止
• 电压 - 集射极击穿（最大值）:650 V
• 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:100 A
• 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200 A
• 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，50A
• 功率 - 最大值:375 W
• 开关能量:770J（导通），550J（关断）
• 输入类型:标准
• 栅极电荷:287 nC
• 25°C 时 Td（开/关）值:58ns/328ns
• 测试条件:400V，50A，7.9 欧姆，15V
• 反向恢复时间 (trr):80 ns
• 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 封装/外壳:TO-247-3
• 供应商器件封装:TO-247
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还在为功率器件的效率瓶颈和散热难题而烦恼吗？DGTD65T50S1PT正是为您而来的解决方案。这颗由Diodes Incorporated推出的650V/100A场截止型IGBT，凭借其低至2.4V的导通压降，能显著降低导通损耗，让您的电机驱动、光伏逆变或电源系统运行得更“冷静”、更高效。

它集高电流能力、快速开关与坚固耐用于一身。高达200A的脉冲电流承受力，轻松应对瞬间负载冲击；优化的开关能量与栅极电荷，让开关过程干净利落，有效提升系统频率与整体能效。采用工业标准的TO-247封装，散热性能优异，确保在-40°C到175°C的宽广结温范围内稳定工作，为您的产品在全天候、多场景下的可靠运行保驾护航。