DGD21064MS14-13

在追求极致能效与可靠性的电力电子设计中，您是否曾为驱动电路的性能瓶颈而困扰？想象一下，一个集高集成度、强劲驱动与卓越可靠性于一身的解决方案，将如何彻底改变您的电源系统设计。DGD21064MS14-13正是为此而生，它不仅仅是一颗栅极驱动器，更是您释放系统潜能、迈向更高效率与功率密度的关键钥匙。

这款来自Diodes Incorporated的明星产品，专为应对严苛的工业与汽车应用环境而打造。其高达600V的自举电压能力，为半桥拓扑结构提供了坚固的电气隔离保障，让您在电机驱动、不间断电源(UPS)或太阳能逆变器等高压场景中游刃有余。无论是驱动IGBT还是N沟道MOSFET，它都能提供高达600mA（拉出）和290mA（灌入）的峰值电流，确保开关器件快速、干净地导通与关断，显著降低开关损耗，提升整体系统效率。更令人印象深刻的是，在-40°C至125°C的宽广工作温度范围内，它依然能保持稳定的性能，这意味着您的设备即使在极端环境下也能持续可靠运行。

选择DGD21064MS14-13，就是选择了一份从容与信心。其非反相输入逻辑与宽泛的逻辑电压兼容性（VIL 0.6V, VIH 2.5V），让它可以轻松对接各类微控制器或DSP，简化您的接口设计。独立的双通道驱动配置，为您在布局上提供了极大的灵活性，无论是用于同步整流、全桥还是其他复杂拓扑。其100ns（典型上升）和35ns（典型下降）的快速开关特性，直接转化为更低的电磁干扰(EMI)和更高的开关频率潜力，让您的产品在竞争中脱颖而出。当您需要稳定可靠的供货与技术支持时，别忘了我们作为专业的DIODES代理，将全程为您保驾护航，确保这颗强大芯片的价值能在您的设计中得到完美体现。

• 型号:DGD21064MS14-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:14-SO
• 类目:集成电路（IC） > 电源管理（PMIC） > 栅极驱动器
• 描述:IC GATE DRV HALF-BRIDG 14SO 2.5K
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 南皇电子 可编程:未验证
• 驱动配置:半桥
• 通道类型:独立式
• 驱动器数:2
• 栅极类型:IGBT，MOSFET（N 沟道）
• 电压 - 供电:10V ~ 20V
• 逻辑电压- VIL，VIH:0.6V，2.5V
• 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:290mA，600mA
• 输入类型:非反相
• 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V
• 上升/下降时间（典型值）:100ns，35ns
• 工作温度:-40°C ~ 125°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:14-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
• 供应商器件封装:14-SO
• 想获取DGD21064MS14-13的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

还在为复杂的功率开关驱动设计而头疼吗？DGD21064MS14-13栅极驱动器芯片，就是您高效、可靠控制IGBT和MOSFET的得力助手。它内置两个独立通道，采用半桥配置，能为您提供强劲的600mA拉电流和290mA灌电流，确保功率器件快速响应，大幅降低开关损耗，让您的电源或电机驱动系统运行得更冷静、更高效。

这颗芯片拥有10V至20V的宽供电范围，逻辑接口兼容性强，让您能轻松对接主流控制器。其高达600V的自举电压和-40°C到125°C的工业级工作温度范围，更是为您应对工业自动化、汽车电子等严苛应用场景注入了强大信心。选择它，就是为您的产品选择了一份坚实的性能保障与设计简便性。