2N7002DW-7-F

在追求极致紧凑与高效能的设计中，您是否曾为寻找一款既能节省宝贵空间，又能提供可靠开关性能的双通道MOSFET而烦恼？现在，答案就在眼前。我们隆重向您推荐2N7002DW-7-F，这款来自Diodes Incorporated的微型功率开关解决方案，将双通道N沟道MOSFET集成于微小的SOT-363封装内，专为现代电子设备的高密度PCB设计而生。它不仅仅是一个元件，更是您释放设计潜力、提升产品竞争力的关键钥匙。

想象一下，在您的便携式设备、智能传感器模块或精密的电源管理电路中，2N7002DW-7-F正以其卓越的性能默默工作。其60V的漏源电压和230mA的连续漏极电流，为信号切换、电平转换和负载驱动提供了坚实保障。更令人惊喜的是，在5V驱动下仅7.5欧姆的低导通电阻，意味着更低的导通损耗和更高的系统效率，让您的设备运行更凉爽，续航更持久。从-55°C到150°C的宽广工作温度范围，确保了它在各种严苛环境下都能稳定如一，无论是炎热的车载电子还是寒冷的户外设备，都能从容应对。

选择2N7002DW-7-F，就是选择了一种面向未来的设计哲学。它双通道的架构让您用一颗芯片完成以往两颗芯片的任务，极大地优化了布局，降低了BOM成本和组装复杂度。其表面贴装设计和超小封装，完美契合了当今电子产品轻薄化、微型化的浪潮。当您需要可靠、高效的MOSFET阵列时，与专业的DIODES代理商合作，获取正品保障与技术支持，是确保项目成功与量产顺利的明智之举。让2N7002DW-7-F成为您下一个爆款产品中不可或缺的“高效能心脏”，驱动创新，赢得市场。

• 型号:2N7002DW-7-F
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-363
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2N-CH 60V 0.23A SOT363
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 N-通道（双）
• FET 功能:-
• 漏源电压（Vdss）:60V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):230mA
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:7.5 欧姆 @ 50mA，5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:50pF @ 25V
• 功率 - 最大值:310mW
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:6-TSSOP，SC-88，SOT-363
• 供应商器件封装:SOT-363
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您正在寻找一颗能同时驱动两个信号通道、且占用面积极小的开关芯片吗？2N7002DW-7-F正是为您量身打造。这颗双N沟道MOSFET阵列，集成了两个独立的开关单元于微型的SOT-363封装内，让您轻松实现高密度PCB布局，为您的便携设备、物联网模块或消费电子产品节省每一毫米宝贵空间。

它拥有60V的耐压和230mA的驱动能力，配合低至7.5欧姆的导通电阻，确保信号切换快速、高效，功耗更低。其宽广的工作温度范围（-55°C ~ 150°C）提供了出色的环境适应性。选择它，意味着您能用一个组件替代两个，简化设计，提升可靠性，让您的产品在性能和成本上获得双重优势。