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DDTB114TU-7-F的图片

DDTB114TU-7-F

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分立半导体产品 > 晶体管 > 双极(BJT) > 单,预偏置双极晶体管
制造厂商:DIODES(美台)
功能简述:TRANS PREBIAS PNP 50V SOT323
原厂封装:封装:SOT-323
优势价格,DDTB114TU-7-F的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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DDTB114TU-7-F的功能参数资料 - DIODES公司(美台)提供

在追求极致能效与紧凑设计的电子世界中,您是否还在为复杂的电路设计和分立元件的选型匹配而烦恼?现在,一颗集成了预偏置电阻的微型解决方案正静待您的发现。它就是来自Diodes Incorporated的明星产品DDTB114TU-7-F。这颗PNP预偏置晶体管,以其卓越的集成度和可靠性,正在重新定义小型化、高效率电路的设计可能。

想象一下,在您的手持设备、便携式音频播放器或智能传感器的核心电路中,空间是多么宝贵。DDTB114TU-7-F的SOT-323超小型封装,如同一颗精密的电子心脏,仅需极小的PCB面积,就能为您实现高效的信号切换与放大功能。其高达50V的集射极击穿电压和500mA的集电极电流能力,为您的设计提供了坚实的性能保障,无论是处理音频信号、驱动小型负载,还是作为逻辑电平转换的关键一环,它都能游刃有余。更令人心动的是,其内部集成的10 kOhms基极电阻,为您省去了外部匹配的繁琐步骤,不仅简化了物料清单(BOM),更大幅提升了生产效率和电路的一致性。选择我们信赖的DIODES代理,您将获得稳定可靠的货源与专业的技术支持。

那么,为何众多工程师在众多选择中独钟于它?答案在于其无与伦比的综合价值。高达100的最小直流电流增益(hFE)和低至300mV的饱和压降,意味着它在放大信号时失真更小,在开关状态下功耗更低,直接为您的终端产品带来更长的续航和更清晰的音质。200MHz的跃迁频率确保了它在高频应用中的快速响应能力。从消费电子到工业控制,从物联网节点到汽车电子辅助系统,DDTB114TU-7-F以其“有源”的活力,时刻准备着为您的创新构想注入稳定而强大的动力。它不仅仅是一个元件,更是您提升产品竞争力、加速项目上市的秘密武器。

  • 型号:DDTB114TU-7-F
  • 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
  • 封装:SOT-323
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > 双极(BJT) > 单,预偏置双极晶体管
  • 描述:TRANS PREBIAS PNP 50V SOT323
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:停产
  • 晶体管类型:PNP - 预偏压
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):500 mA
  • 电压 - 集射极击穿(最大值):50 V
  • 包含电阻器:仅 R1
  • 电阻器 - 基极 (R1):10 kOhms
  • 电阻器 - 发射极 (R2):-
  • 不同Ic、Vce时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):100 @ 5mA,5V
  • 不同Ib、Ic 时Vce 饱和压降(最大值):300mV @ 2.5mA,50mA
  • 电流 - 集电极截止(最大值):500nA(ICBO)
  • 频率 - 跃迁:200 MHz
  • 功率 - 最大值:200 mW
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:SC-70,SOT-323
  • 供应商器件封装:SOT-323
  • 想获取DDTB114TU-7-F的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

还在为电路板空间紧张和设计复杂而头疼吗?让DDTB114TU-7-F来为您化繁为简!这颗来自Diodes的预偏置PNP晶体管,内部集成了基极电阻,让您无需再为外部电阻的选型和布局费心,轻松实现简洁、高效的电路设计。

它能在高达50V电压和500mA电流下稳定工作,具备出色的放大能力(hFE最小值100)和极低的饱和压降,确保信号处理高效、损耗微小。其SOT-323超小封装,专为空间受限的现代电子产品而生,无论是驱动小型电机、管理电源开关,还是进行信号调理,都能让您的设计更紧凑、性能更可靠。

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