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DDTB113EU-7-F的图片

DDTB113EU-7-F

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分立半导体产品 > 晶体管 > 双极(BJT) > 单,预偏置双极晶体管
制造厂商:DIODES(美台)
功能简述:TRANS PREBIAS PNP 50V SOT323
原厂封装:封装:SOT-323
优势价格,DDTB113EU-7-F的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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DDTB113EU-7-F的功能参数资料 - DIODES公司(美台)提供

在追求极致紧凑与高效能的设计中,您是否曾为分立元件的布局和匹配而烦恼?现在,一颗集成了预偏置电阻的微型解决方案,正以其卓越性能重新定义空间与效率的平衡。这就是DDTB113EU-7-F,一款来自Diodes Incorporated的预偏置PNP晶体管,它不仅仅是一个元件,更是您实现精简、可靠电路设计的得力助手。

想象一下,在您的手持设备、便携式音频播放器或精密的传感器模块中,空间是何等珍贵。DDTB113EU-7-F采用超小的SOT-323封装,面积仅如米粒般大小,却能承载高达500mA的集电极电流和50V的击穿电压。其内部集成的1kΩ基极和发射极电阻,为您省去了外部匹配电阻的繁琐步骤和宝贵的PCB面积,让您的电路板布局瞬间变得清爽、高效。高达200MHz的跃迁频率,确保了信号处理的高速与流畅,无论是作为开关还是放大应用,都能游刃有余。

这颗芯片的价值,在各类低压、高密度应用中体现得淋漓尽致。在智能穿戴设备的电源管理电路中,它能够高效地控制负载通断;在物联网节点的信号调理部分,其低至300mV的饱和压降和500nA的微小截止电流,显著降低了整体功耗,延长了电池寿命。对于消费类电子产品的音频放大或LED驱动模块,其稳定的DC电流增益(最小33 @ 50mA, 5V)保证了输出的一致性与可靠性。选择DDTB113EU-7-F,意味着您选择了一种将高性能、高集成度与极致小型化完美融合的设计哲学。

为何众多工程师在面临类似选型时,会倾向于它?答案在于其带来的综合价值提升。它简化了您的物料清单(BOM),减少了采购与库存管理的复杂度;它提升了生产良率,因为集成的结构降低了焊接和装配出错的概率;最重要的是,它赋予了您的产品更强的市场竞争力更小的尺寸、更长的续航、更稳定的性能。当您需要稳定可靠的货源与技术支持时,可以通过专业的DIODES代理获取这颗芯片以及全方位的服务。让DDTB113EU-7-F成为您下一个创新产品的“核心”推动力,开启高效设计的新篇章。

  • 型号:DDTB113EU-7-F
  • 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
  • 封装:SOT-323
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > 双极(BJT) > 单,预偏置双极晶体管
  • 描述:TRANS PREBIAS PNP 50V SOT323
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:停产
  • 晶体管类型:PNP - 预偏压
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):500 mA
  • 电压 - 集射极击穿(最大值):50 V
  • 包含电阻器:R1 和 R2
  • 电阻器 - 基极 (R1):1 kOhms
  • 电阻器 - 发射极 (R2):1 kOhms
  • 不同Ic、Vce时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):33 @ 50mA,5V
  • 不同Ib、Ic 时Vce 饱和压降(最大值):300mV @ 2.5mA,50mA
  • 电流 - 集电极截止(最大值):500nA
  • 频率 - 跃迁:200 MHz
  • 功率 - 最大值:200 mW
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:SC-70,SOT-323
  • 供应商器件封装:SOT-323
  • 想获取DDTB113EU-7-F的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

还在为电路板上的分立晶体管和电阻网络占用大量空间而头疼吗?DDTB113EU-7-F为您提供了一站式解决方案!这颗预偏置PNP晶体管内部集成了精准的偏置电阻,让您无需再外接电阻,即可轻松实现稳定的偏置设置,极大地简化了您的电路设计,并节省了宝贵的PCB面积。

它能让您的设计更高效、更紧凑。凭借高达500mA的电流驱动能力和50V的耐压,它能轻松应对各种开关控制和信号放大任务。其超低的饱和压降和截止电流,有助于降低系统整体功耗,特别适合电池供电的便携式设备。采用微型的SOT-323表面贴装封装,让您即使在最紧凑的空间内也能游刃有余地布局,是实现高性能、高密度设计的理想选择。

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