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D5V0F2U3LP-7B的图片

D5V0F2U3LP-7B

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电路保护 > 瞬态电压抑制器(TVS) > TVS 二极管
制造厂商:DIODES(美台)
功能简述:TVS DIODE 5.5VWM 12VC X1DFN10063
原厂封装:封装:X1-DFN1006-3
优势价格,D5V0F2U3LP-7B的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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D5V0F2U3LP-7B的功能参数资料 - DIODES公司(美台)提供

想象一下,您的精密电路正在稳定运行,突然一个意外的电压尖峰袭来这种瞬间的过压冲击是否曾让您精心设计的产品面临风险?在电子设备日益精密、空间愈发紧凑的今天,选择一款可靠、高效的瞬态电压抑制器(TVS)不再是可选项,而是保障系统稳健性的基石。这正是我们隆重推出D5V0F2U3LP-7B的初衷,它不仅仅是一个保护组件,更是您产品在复杂电磁环境中安然无恙的“隐形守护者”。

这款来自Diodes Incorporated的卓越TVS二极管,以其精悍的3-UFDFN超小型封装,轻松融入您对空间极为苛刻的设计。它专为应对日常电路中最常见的瞬态电压威胁而生,无论是通信端口的静电放电(ESD),还是电源线上的感应浪涌,它都能在纳秒级时间内迅速响应,将危险电压箝位在安全的12V以下,确保后级敏感芯片毫发无损。其5.5V的反向断态电压与低至0.5pF的电容值,意味着它在提供坚实保护的同时,几乎不会对高速数据信号造成任何干扰,完美平衡了保护性能与信号完整性。

从可穿戴设备的USB接口,到工业传感器的数据线,再到便携式消费电子的I/O端口,D5V0F2U3LP-7B的应用场景无处不在。它让您的智能手表在充电时免受浪涌冲击,保障工业控制模块在嘈杂环境中稳定通讯,确保移动硬盘在热插拔时数据万无一失。其宽广的-55°C至150°C工作结温范围,更是赋予了产品从寒带到赤道、从消费级到工业级的全场景适应能力,极大地扩展了您的市场边界。

为何众多领先企业将这款芯片作为首选?答案在于它带来的综合价值飞跃。它简化了您的电路保护设计,无需复杂的周边电路,一颗芯片即构筑起坚固防线,大幅节省了宝贵的PCB面积和BOM成本。选择它,就是选择了由全球知名半导体制造商Diodes Incorporated提供的品质与可靠性背书。若您正在寻找稳定可靠的供应渠道,专业的DIODES代理合作伙伴能为您提供从选型支持到供应链保障的全方位服务。让D5V0F2U3LP-7B成为您产品的标准配置,不仅是对电路的保护,更是对品牌声誉和用户信任的长期投资,助您的产品在激烈的市场竞争中,凭借无与伦比的可靠性脱颖而出。

  • 型号:D5V0F2U3LP-7B
  • 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
  • 封装:X1-DFN1006-3
  • 类目:电路保护 > 瞬态电压抑制器(TVS) > TVS 二极管
  • 描述:TVS DIODE 5.5VWM 12VC X1DFN10063
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:在售
  • 类型:齐纳
  • 单向通道:2
  • 双向通道:-
  • 电压 - 反向断态(典型值):5.5V(最大)
  • 电压 - 击穿(最小值):6V
  • 不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值):12V
  • 电流 - 峰值脉冲 (10/1000s):1.5A(8/20s)
  • 功率 - 峰值脉冲:-
  • 电源线路保护:无
  • 应用:通用
  • 不同频率时电容:0.5pF @ 1MHz
  • 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:3-UFDFN
  • 供应商器件封装:X1-DFN1006-3
  • 想获取D5V0F2U3LP-7B的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

在电路保护的世界里,尺寸与性能能否兼得?D5V0F2U3LP-7B给出了完美答案。这颗超小型TVS二极管,能为您的高速数据线和电源路径提供纳秒级的瞬态过压保护,将高达1.5A的峰值脉冲电流安全泄放,并把威胁电压牢牢箝位在12V以下,确保核心芯片安然无恙。

它凭借仅0.5pF的极低电容,让您在设计高速接口(如USB、HDMI)时,完全无需担心信号完整性受损。其紧凑的3-UFDFN封装,能轻松布局于空间受限的现代电子产品中,帮助您高效利用每一寸PCB面积。无论是应对ESD还是EFT等干扰,它都是您提升产品可靠性和通过严苛电磁兼容测试的得力助手。

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