DMP25H18DLFDE-7

在追求极致能效与紧凑设计的今天，您的电源管理方案是否还在为平衡性能与空间而苦恼？现在，答案来了。我们隆重推出DMP25H18DLFDE-7，这颗来自Diodes Incorporated的P沟道MOSFET，正是为突破传统限制、释放设计潜能而生。它不仅仅是一个电子元件，更是您提升产品竞争力、实现高效可靠运行的强大引擎。

想象一下，在那些对空间和功耗都极为苛刻的应用中，比如智能家居的紧凑型电源模块、便携式医疗设备的精密控制电路，或是工业自动化中的高可靠性开关系统，DMP25H18DLFDE-7都能游刃有余。其高达250V的漏源电压和260mA的连续漏极电流，为您的设计提供了坚实的电压屏障和稳定的电流处理能力。更令人振奋的是，它在10V驱动电压下仅14欧姆的超低导通电阻，意味着更少的能量损耗和更低的发热，直接转化为更长的设备续航和更高的系统可靠性。无论是作为负载开关、电源路径管理，还是电机驱动中的关键一环，它都能确保信号清晰、动作精准，让您的产品在激烈的市场中脱颖而出。

选择DMP25H18DLFDE-7，就是选择了一份经得起考验的卓越与安心。其采用先进的U-DFN2020-6（E类）超薄封装，面积微小却功能强大，完美适配高密度PCB布局，助您轻松实现产品的小型化与轻量化。宽广的-55°C至150°C工作结温范围，确保了它在极端环境下依然稳定如初，满足工业级和汽车级应用的严苛要求。极低的栅极电荷（仅2.8nC）和输入电容，带来了更快的开关速度和更低的驱动损耗，让系统响应更加迅捷高效。我们深知可靠的供应链至关重要，因此通过值得信赖的DIODES代理网络，我们确保您能及时、稳定地获得这颗优质芯片，为您的项目进度和量产计划保驾护航。立即采用DMP25H18DLFDE-7，让它成为您下一个成功产品的核心动力，共同开启高效、可靠、紧凑的电子设计新篇章。

• 型号:DMP25H18DLFDE-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:U-DFN2020-6（E 类）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 250V 260MA 6UDFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:250 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):260mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:3.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:14 欧姆 @ 200mA，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 1mA
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:2.8 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±40V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:81 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:600mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:U-DFN2020-6（E 类）
• 封装/外壳:6-PowerUDFN
• 想获取DMP25H18DLFDE-7的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

您是否正在寻找一颗能在高压环境下稳定工作，同时兼具高效能与迷你尺寸的MOSFET解决方案？DMP25H18DLFDE-7正是您的理想之选。这颗P沟道MOSFET拥有250V的高耐压和260mA的电流处理能力，其超低的导通电阻能显著减少功率损耗，让您的设备运行更凉爽、更持久。

它采用前沿的U-DFN2020-6微型封装，为您节省宝贵的电路板空间，轻松实现高密度设计。无论是用于电源开关、负载管理还是信号切换，DMP25H18DLFDE-7都能提供快速、可靠的性能，助您高效打造出更具市场竞争力的紧凑型电子产品。