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D58V0M4U8MR-13的图片

D58V0M4U8MR-13

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电路保护 > 瞬态电压抑制器(TVS) > TVS 二极管
制造厂商:DIODES(美台)
功能简述:TVS DIODE 58VWM 100VC 8-SO
原厂封装:封装:8-SO
优势价格,D58V0M4U8MR-13的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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D58V0M4U8MR-13的功能参数资料 - DIODES公司(美台)提供

想象一下,当您的以太网设备遭遇突如其来的电压浪涌时,会发生什么?数据中断、端口损坏,甚至整个系统宕机这些风险不仅带来高昂的维修成本,更可能损害您的品牌声誉。现在,有一种解决方案,能将高达2.7kW的瞬间冲击能量轻松化解于无形,它就是专为高速数据接口保驾护航的浪涌防护专家D58V0M4U8MR-13

这颗来自Diodes Incorporated的TVS二极管,拥有58V的反向断态电压和100V的箝位电压,就像一个反应迅捷的“电子卫士”,时刻守护着您的以太网端口。当异常电压超过64.4V的击穿阈值时,它能以纳秒级的速度响应,将电压精准箝位在安全范围内,承受高达24A的峰值脉冲电流。这意味着,无论是雷击感应、静电放电还是电源波动引起的浪涌,都无法对您精密的内部电路构成威胁。其极低的55pF电容特性,更是确保了它在保护的同时,几乎不会对高速数据传输信号造成任何干扰,完美平衡了防护性能与信号完整性。

从工业交换机、路由器到企业级服务器和网络存储设备,凡是涉及以太网连接的场景,都是D58V0M4U8MR-13大显身手的舞台。它宽达-65°C至150°C的工作结温范围,让其能从容应对严苛的工业环境与高密度设备内部的高温挑战。采用紧凑的8-SOIC表面贴装封装,不仅节省了宝贵的PCB空间,也简化了您的生产流程。选择它,就是为您的产品选择了一份经得起时间考验的可靠性承诺。虽然该型号已进入停产状态,但通过可靠的DIODES芯片代理渠道,您依然可以获得稳定库存与专业的技术支持,确保现有产品线的长期稳定与后续平滑过渡。

在竞争激烈的市场里,产品的耐用性和稳定性往往是决定口碑的关键。集成D58V0M4U8MR-13,您无需再为网络端口的浪涌防护问题而担忧。它用经过验证的齐纳二极管技术,为您构建起一道坚固的防线,大幅提升产品的平均无故障时间,直接转化为更低的售后成本和更高的客户满意度。这不仅仅是一颗保护芯片,更是您打造高品质、高可靠性网络设备不可或缺的信任基石。

  • 型号:D58V0M4U8MR-13
  • 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
  • 封装:8-SO
  • 类目:电路保护 > 瞬态电压抑制器(TVS) > TVS 二极管
  • 描述:TVS DIODE 58VWM 100VC 8-SO
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:在售
  • 类型:齐纳
  • 单向通道:4
  • 双向通道:-
  • 电压 - 反向断态(典型值):58V
  • 电压 - 击穿(最小值):64.4V
  • 不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值):100V
  • 电流 - 峰值脉冲 (10/1000s):24A(8/20s)
  • 功率 - 峰值脉冲:2700W(2.7kW)
  • 电源线路保护:无
  • 应用:以太网
  • 不同频率时电容:55pF @ 1MHz
  • 工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)
  • 供应商器件封装:8-SO
  • 想获取D58V0M4U8MR-13的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

还在为以太网端口的浪涌损坏而烦恼吗?D58V0M4U8MR-13正是您期待的解决方案。这颗TVS二极管能瞬间响应,将危险的过电压箝位在安全的100V以内,以高达2.7kW的峰值脉冲功率吸收能量,确保您的核心电路安然无恙。

它专为高速以太网设计,仅55pF的低电容特性让信号传输畅通无阻。紧凑的8-SOIC封装让您轻松布局,而宽广的工作温度范围则保障了它在各种环境下的稳定表现。选择它,就是为您的产品选择了可靠的静默守护者。

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