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BZX84C3V3TS-7-F的图片

BZX84C3V3TS-7-F

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分立半导体产品 > 二极管 > 齐纳 > 齐纳二极管阵列
制造厂商:DIODES(美台)
功能简述:DIODE ZENER ARRAY 3.3V SOT-363
原厂封装:封装:SOT-363
优势价格,BZX84C3V3TS-7-F的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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BZX84C3V3TS-7-F的功能参数资料 - DIODES公司(美台)提供

在追求极致稳定性的电路设计中,您是否曾为多个关键节点的电压保护而烦恼?传统的分立方案不仅占用宝贵的PCB空间,更增加了布线的复杂性与不确定性。现在,这一切都将被重新定义。我们隆重推出BZX84C3V3TS-7-F,这颗来自Diodes Incorporated的精密齐纳二极管阵列,正是为简化您的设计、守护系统稳定而生的全能卫士。它将三个独立的3.3V齐纳二极管集成于一个微小的SOT-363封装内,为您提供了一站式、高可靠性的多路电压箝位与保护解决方案。

想象一下,在您的手持设备、便携式医疗仪器或物联网传感器模块中,空间是何等金贵。BZX84C3V3TS-7-F以其紧凑的封装,完美适配这些对尺寸极其敏感的应用。它能在-65°C至150°C的宽温范围内稳定工作,确保您的产品无论身处严寒还是酷热环境,核心的3.3V逻辑电平都能得到坚实保护,免受电压尖峰和瞬态过压的侵害。在数据通信接口、微处理器I/O端口或电源轨的精细保护场景中,它就像一位沉默而忠诚的哨兵,时刻警惕,让您的系统运行得更安心、更长久。

选择BZX84C3V3TS-7-F,就是选择效率与可靠性的双重提升。它±6%的精准容差和仅95欧姆的最大动态阻抗,意味着更一致的箝位性能和更低的功耗损失。相比使用三个独立的分立齐纳二极管,它不仅大幅减少了元件数量、简化了物料清单(BOM),更优化了生产贴装流程,直接为您降低了综合成本并提升了制造良率。当您需要稳定、高效的电压参考与保护方案时,这颗芯片就是您不容置疑的明智之选。为确保您能获得原厂品质与及时的技术支持,我们推荐您通过官方授权的DIODES一级代理进行采购,为您的项目成功增添一份可靠保障。

  • 型号:BZX84C3V3TS-7-F
  • 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
  • 封装:SOT-363
  • 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 齐纳 > 齐纳二极管阵列
  • 描述:DIODE ZENER ARRAY 3.3V SOT-363
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:在售
  • 配置:3 个独立式
  • 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):3.3 V
  • 容差:±6%
  • 功率 - 最大值:200 mW
  • 阻抗(最大值)(Zzt):95 Ohms
  • 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5 A @ 1 V
  • 不同 If 时电压 - 正向 (Vf):900 mV @ 10 mA
  • 工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
  • 供应商器件封装:SOT-363
  • 想获取BZX84C3V3TS-7-F的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

还在为电路板上的多处电压保护点而手忙脚乱吗?BZX84C3V3TS-7-F能为您化繁为简!这颗芯片将三个独立的3.3V齐纳二极管集成于一个微小的SOT-363封装中,专为需要多路精密电压箝位和瞬态保护的场景设计。

它能让您轻松实现对关键电路节点(如数据线、I/O端口、电源轨)的可靠保护,有效抑制电压尖峰,确保后级敏感元件的安全。其±6%的精度和高达200mW的功率处理能力,让您的设计在从-65°C到150°C的广阔温度范围内都能保持稳定表现,大幅提升产品的环境适应性与长期可靠性。

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