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BZX84C12TS-7-F的图片

BZX84C12TS-7-F

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分立半导体产品 > 二极管 > 齐纳 > 齐纳二极管阵列
制造厂商:DIODES(美台)
功能简述:DIODE ZENER ARRAY 12V SOT-363
原厂封装:封装:SOT-363
优势价格,BZX84C12TS-7-F的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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BZX84C12TS-7-F的功能参数资料 - DIODES公司(美台)提供

在追求极致稳定性的电路设计中,您是否曾为电压波动带来的系统风险而困扰?当关键信号需要精准的电压基准,或是敏感元件需要可靠的过压保护时,一颗性能卓越的稳压二极管就是您电路中的“定海神针”。今天,我们向您隆重介绍这款来自Diodes Incorporated的精密解决方案BZX84C12TS-7-F,它将以其出色的稳定性和紧凑的设计,为您的产品注入坚如磐石的可靠性。

想象一下,在您的便携式设备、智能传感器模块或精密的通信接口电路中,BZX84C12TS-7-F正默默发挥着关键作用。它内置三颗独立的12V齐纳二极管,就像一个微型的三重保险,可以同时为多条信号线提供精准的电压箝位和过压保护。无论是用于微处理器的I/O口保护,防止静电放电(ESD)和电压浪涌的冲击,还是为ADC(模数转换器)提供稳定的参考电压,确保数据采集的准确性,它都能游刃有余。其±6%的严格容差和低至25欧姆的动态阻抗,意味着电压输出极其稳定,即使在负载或温度变化时,也能将波动控制在最小范围,让您的系统在各种环境下都表现如一。

选择BZX84C12TS-7-F,就是选择了一份省心与高效。它采用超小型的SOT-363(SC-88)封装,面积仅如针尖大小,却能提供高达200mW的功耗能力,完美契合当今电子产品小型化、高密度的设计趋势,为您宝贵的PCB空间“减负”。其宽广的工作温度范围(-65°C至150°C)确保了从严寒到酷热的极端环境中依然稳定工作,大大提升了产品的环境适应性和耐用性。更值得一提的是,其极低的反向泄漏电流(100nA @ 8V)有助于降低系统整体功耗,对于电池供电的设备而言,这意味着更长的续航时间。当您需要这样一款集高性能、小体积、高可靠性于一体的齐纳阵列时,选择值得信赖的DIODES中国代理,将是您获得正品货源、专业技术支持与高效供应链服务的最佳保障,让您的产品开发之路更加顺畅。

  • 型号:BZX84C12TS-7-F
  • 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
  • 封装:SOT-363
  • 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 齐纳 > 齐纳二极管阵列
  • 描述:DIODE ZENER ARRAY 12V SOT-363
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:在售
  • 配置:3 个独立式
  • 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):12 V
  • 容差:±6%
  • 功率 - 最大值:200 mW
  • 阻抗(最大值)(Zzt):25 Ohms
  • 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100 nA @ 8 V
  • 不同 If 时电压 - 正向 (Vf):900 mV @ 10 mA
  • 工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
  • 供应商器件封装:SOT-363
  • 想获取BZX84C12TS-7-F的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

还在为电路保护设计寻找既精准又节省空间的方案吗?BZX84C12TS-7-F正是为您量身打造的答案。这颗来自Diodes的齐纳二极管阵列,集成了三颗独立的12V稳压管,能同时为您的多条关键电路提供精准的电压基准和可靠的过压保护,让您的设计从此告别复杂与臃肿。

它凭借±6%的精密容差和低动态阻抗,确保12V基准电压输出异常稳定,无论是用于信号调理、电压参考还是端口防护,都能让您的系统运行得更精准、更安心。其超小的SOT-363封装和高达200mW的功率处理能力,让您能在寸土寸金的电路板上轻松实现高性能保护,大幅提升产品可靠性与竞争力。

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